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半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510213721.9
申请日：
2025-02-26
公开(公告)号：
CN120676636A
公开(公告)日：
2025-09-19
发明(设计)人：
坂口武史 満野阳介
申请人：
铠侠股份有限公司
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H10B43/35
IPC分类号：
H10B43/20 H10B43/40 H10B41/20 H10B41/35 H10B41/41 H10B80/00
代理机构：
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人：
杨林勳
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-10 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 43/35申请日:20250226
2025-09-19 公开 公开
共 50 条
[41]
半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
野田光太郎 ;
野田恭子 ;
星野健 ;
津端修一 .
日本专利 :CN115117110B ,2025-12-19
[42]
半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
小泽歩 .
中国专利 :CN115483220A ,2022-12-16
[43]
半导体存储装置、及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
西村肇伦 ;
竹内阳介 .
日本专利 :CN119698002A ,2025-03-25
[44]
半导体存储装置、半导体装置、以及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
东和幸 ;
津村一道 ;
胜又竜太 ;
荒井史隆 .
中国专利 :CN118742040A ,2024-10-01
[45]
半导体器件及半导体存储装置 [P]. 
梁擎擎 ;
童小东 ;
钟汇才 ;
朱慧珑 .
中国专利 :CN102768850B ,2012-11-07
[46]
半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
李南宰 .
中国专利 :CN114497056A ,2022-05-13
[47]
半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
王元鼎 ;
新居雅人 ;
小田穣 .
中国专利 :CN115084156A ,2022-09-20
[48]
半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
野田耕生 .
中国专利 :CN112530960A ,2021-03-19
[49]
半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
盐道纮和 .
日本专利 :CN120676629A ,2025-09-19
[50]
半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法 [P]. 
野田耕生 .
日本专利 :CN112530960B ,2024-04-19
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