半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510208532.2

申请日：

2025-02-25

公开(公告)号：

CN120676629A

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

盐道纮和

申请人：

铠侠股份有限公司

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H10B41/20

IPC分类号：

H10B41/35 H10B43/20 H10B43/35

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

牛玉婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/20申请日:20250225
2025-09-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体存储装置、半导体装置、以及半导体存储装置的制造方法 [P].

东和幸 ;

津村一道 ;

胜又竜太 ;

荒井史隆 .

中国专利 :CN118742040A ,2024-10-01

[2]

半导体存储装置、以及半导体存储装置的制造方法 [P].

野田耕生 .

日本专利 :CN119856582A ,2025-04-18

[3]

半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法 [P].

李南宰 .

中国专利 :CN114497056A ,2022-05-13

[4]

半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法 [P].

王元鼎 ;

新居雅人 ;

小田穣 .

中国专利 :CN115084156A ,2022-09-20

[5]

半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法 [P].

野田耕生 .

中国专利 :CN112530960A ,2021-03-19

[6]

半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法 [P].

满野阳介 ;

滨田龙文 ;

五月女真一 ;

九鬼知博 .

中国专利 :CN115117083A ,2022-09-27

[7]

半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法 [P].

高山华梨 ;

菅野裕士 ;

武木田秀人 .

日本专利 :CN116034637B ,2025-12-12

[8]

半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法 [P].

野田耕生 .

日本专利 :CN112530960B ,2024-04-19

[9]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

池山拓斗 .

日本专利 :CN118234231A ,2024-06-21

[10]

半导体存储装置、半导体存储装置的控制方法及半导体存储装置的制造方法 [P].

峯村洋一 .

日本专利 :CN120239281A ,2025-07-01

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