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半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311639028.5
申请日：
2023-12-01
公开(公告)号：
CN118234231A
公开(公告)日：
2024-06-21
发明(设计)人：
池山拓斗
申请人：
铠侠股份有限公司
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H10B41/35
IPC分类号：
H10B41/27
H10B41/10
H10B43/35
H10B43/10
H10B43/27
代理机构：
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人：
杨林勳
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-07-09 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/35申请日:20231201 |
| 2024-06-21 | 公开 | 公开 |