硅光器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210993737.2

申请日：

2022-08-18

公开(公告)号：

CN117637877A

公开(公告)日：

2024-03-01

发明(设计)人：

涂芝娟陈旭汪巍蔡艳余明斌

申请人：

上海新微技术研发中心有限公司

申请人地址：

201800 上海市嘉定区城北路235号1号楼

IPC主分类号：

H01L31/0232

IPC分类号：

H01L31/0352 H01L31/101 H01L31/18 H01L27/144

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-01	公开	公开
2024-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/0232申请日:20220818

共 50 条

[1]

硅光器件及其制造方法 [P].

罗园 ;

左青云 ;

卢意飞 .

中国专利 :CN118226577A ,2024-06-21

[2]

硅光器件及其制造方法 [P].

康晓旭 .

中国专利 :CN117991443A ,2024-05-07

[3]

硅光器件及其制造方法 [P].

罗园 ;

左青云 ;

卢意飞 .

中国专利 :CN118226578A ,2024-06-21

[4]

一种硅光器件及其制备方法 [P].

何慧敏 ;

薛海韵 ;

刘丰满 ;

曹立强 .

中国专利 :CN115113348A ,2022-09-27

[5]

一种硅光器件及其制备方法 [P].

何慧敏 ;

薛海韵 ;

刘丰满 ;

曹立强 .

中国专利 :CN115113348B ,2024-01-23

[6]

半导体结构的研磨方法及硅光器件的制备方法 [P].

陈东石 .

中国专利 :CN117637461A ,2024-03-01

[7]

一种硅光器件结构及其制备方法 [P].

薛夏研 ;

胡正军 ;

钟晓兰 .

中国专利 :CN118688897A ,2024-09-24

[8]

硅光器件用加热器及其制备方法 [P].

钟晓兰 ;

胡正军 .

中国专利 :CN118983226A ,2024-11-19

[9]

硅光器件及其加工工艺 [P].

钟晓兰 ;

康晓旭 .

中国专利 :CN118276229A ,2024-07-02

[10]

硅光工艺和硅光器件 [P].

胡正军 .

中国专利 :CN118276224A ,2024-07-02

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