具有内连线结构的半导体元件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311541030.9
申请日
2023-04-18
公开(公告)号
CN117524974A
公开(公告)日
2024-02-06
发明(设计)人
黄则尧
申请人
南亚科技股份有限公司
申请人地址
中国台湾新北市
IPC主分类号
H01L21/764
IPC分类号
H01L21/762 H10B12/00 H01L21/768
代理机构
隆天知识产权代理有限公司 72003
代理人
李南山
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体元件的内连线制造方法 [P]. 
李韦坤 .
中国专利 :CN110299319A ,2019-10-01
[2]
具有内连接结构的半导体元件及其制备方法 [P]. 
施信益 .
中国专利 :CN112992853B ,2024-08-27
[3]
具有内连接结构的半导体元件及其制备方法 [P]. 
施信益 .
中国专利 :CN112992853A ,2021-06-18
[4]
半导体元件中内连线结构的制造方法 [P]. 
曹荣志 ;
陈科维 ;
林俞谷 ;
陈其贤 .
中国专利 :CN100481380C ,2007-02-07
[5]
具有缓冲结构的半导体元件及其制备方法 [P]. 
黄则尧 .
中国专利 :CN117577611A ,2024-02-20
[6]
具有栅极结构的半导体元件及其制备方法 [P]. 
郝中蓬 .
中国专利 :CN117677190A ,2024-03-08
[7]
具有缓冲结构的半导体元件及其制备方法 [P]. 
黄则尧 .
中国专利 :CN117525015A ,2024-02-06
[8]
具有连接结构的半导体元件及其制备方法 [P]. 
施信益 .
中国专利 :CN113284877A ,2021-08-20
[9]
具有选择结构的半导体元件及其制备方法 [P]. 
丘世仰 .
中国专利 :CN119153438A ,2024-12-17
[10]
具有连接结构的半导体元件及其制备方法 [P]. 
施信益 .
中国专利 :CN113284877B ,2024-03-29