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具有内连线结构的半导体元件及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311541030.9
申请日
:
2023-04-18
公开(公告)号
:
CN117524974A
公开(公告)日
:
2024-02-06
发明(设计)人
:
黄则尧
申请人
:
南亚科技股份有限公司
申请人地址
:
中国台湾新北市
IPC主分类号
:
H01L21/764
IPC分类号
:
H01L21/762
H10B12/00
H01L21/768
代理机构
:
隆天知识产权代理有限公司 72003
代理人
:
李南山
法律状态
:
公开
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-02-06
公开
公开
2024-02-27
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/764申请日:20230418
共 50 条
[1]
半导体元件的内连线制造方法
[P].
李韦坤
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李韦坤
.
中国专利
:CN110299319A
,2019-10-01
[2]
具有内连接结构的半导体元件及其制备方法
[P].
施信益
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
南亚科技股份有限公司
南亚科技股份有限公司
施信益
.
中国专利
:CN112992853B
,2024-08-27
[3]
具有内连接结构的半导体元件及其制备方法
[P].
施信益
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
施信益
.
中国专利
:CN112992853A
,2021-06-18
[4]
半导体元件中内连线结构的制造方法
[P].
曹荣志
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曹荣志
;
陈科维
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈科维
;
林俞谷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
林俞谷
;
陈其贤
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈其贤
.
中国专利
:CN100481380C
,2007-02-07
[5]
具有缓冲结构的半导体元件及其制备方法
[P].
黄则尧
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
南亚科技股份有限公司
南亚科技股份有限公司
黄则尧
.
中国专利
:CN117577611A
,2024-02-20
[6]
具有栅极结构的半导体元件及其制备方法
[P].
郝中蓬
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
南亚科技股份有限公司
南亚科技股份有限公司
郝中蓬
.
中国专利
:CN117677190A
,2024-03-08
[7]
具有缓冲结构的半导体元件及其制备方法
[P].
黄则尧
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
南亚科技股份有限公司
南亚科技股份有限公司
黄则尧
.
中国专利
:CN117525015A
,2024-02-06
[8]
具有连接结构的半导体元件及其制备方法
[P].
施信益
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
施信益
.
中国专利
:CN113284877A
,2021-08-20
[9]
具有选择结构的半导体元件及其制备方法
[P].
丘世仰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
南亚科技股份有限公司
南亚科技股份有限公司
丘世仰
.
中国专利
:CN119153438A
,2024-12-17
[10]
具有连接结构的半导体元件及其制备方法
[P].
施信益
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
南亚科技股份有限公司
南亚科技股份有限公司
施信益
.
中国专利
:CN113284877B
,2024-03-29
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