半导体元件的内连线制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810235338.3
申请日
2018-03-21
公开(公告)号
CN110299319A
公开(公告)日
2019-10-01
发明(设计)人
李韦坤
申请人
申请人地址
中国台湾新竹市
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
陈小雯
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体元件中内连线结构的制造方法 [P]. 
曹荣志 ;
陈科维 ;
林俞谷 ;
陈其贤 .
中国专利 :CN100481380C ,2007-02-07
[2]
半导体金属内连线的制造方法 [P]. 
欧阳允亮 ;
黄昭元 .
中国专利 :CN1388573A ,2003-01-01
[3]
半导体元件的制造方法、半导体元件 [P]. 
津波大介 ;
西泽弘一郎 .
中国专利 :CN103789764B ,2014-05-14
[4]
半导体元件、半导体元件的制造方法 [P]. 
前田和弘 ;
志贺俊彦 .
中国专利 :CN104124220B ,2014-10-29
[5]
半导体元件的制造方法、半导体元件 [P]. 
土屋裕彰 ;
山口晴央 ;
中井荣治 .
中国专利 :CN107528215B ,2017-12-29
[6]
半导体元件、半导体元件的制造方法 [P]. 
高桥卓也 ;
楢崎敦司 ;
高桥彻雄 .
中国专利 :CN104241398A ,2014-12-24
[7]
具有内连线结构的半导体元件及其制备方法 [P]. 
黄则尧 .
中国专利 :CN117524974A ,2024-02-06
[8]
使用化学机械研磨法制造半导体元件的内连线结构的方法 [P]. 
邱文智 ;
陈盈和 ;
余振华 .
中国专利 :CN100353521C ,2006-04-19
[9]
半导体装置及内连线的制造方法 [P]. 
庄学理 ;
余振华 ;
吕伯雄 ;
吴斯安 .
中国专利 :CN1790666A ,2006-06-21
[10]
半导体元件和半导体元件的制造方法 [P]. 
村川贤太郎 .
中国专利 :CN114600248A ,2022-06-07