半导体装置及内连线的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510123427.1

申请日：

2005-11-18

公开(公告)号：

CN1790666A

公开(公告)日：

2006-06-21

发明(设计)人：

庄学理余振华吕伯雄吴斯安

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23522

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-06-21	公开	公开
2006-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-03-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

制造半导体装置导线的方法及内连线结构 [P].

骆统 ;

郑明达 ;

苏金达 ;

杨大弘 ;

陈光钊 .

中国专利 :CN102339788A ,2012-02-01

[2]

内连线结构及其制造方法、半导体装置 [P].

石健学 ;

蔡明兴 ;

苏鸿文 .

中国专利 :CN1921102A ,2007-02-28

[3]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

河村圭子 ;

一关健太郎 ;

西胁达也 .

日本专利 :CN120825974A ,2025-10-21

[4]

半导体金属内连线的制造方法 [P].

欧阳允亮 ;

黄昭元 .

中国专利 :CN1388573A ,2003-01-01

[5]

半导体元件的内连线制造方法 [P].

李韦坤 .

中国专利 :CN110299319A ,2019-10-01

[6]

半导体元件中内连线结构的制造方法 [P].

曹荣志 ;

陈科维 ;

林俞谷 ;

陈其贤 .

中国专利 :CN100481380C ,2007-02-07

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

益本宽之 .

日本专利 :CN111816633B ,2024-06-11

[8]

半导体装置及制造半导体装置的方法 [P].

朴大洋 ;

金吉江 ;

江亨义 ;

杨智妍 ;

孙权守 .

:CN120834112A ,2025-10-24

[9]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

村岸勇夫 ;

甲斐隆行 ;

齐藤太志郎 ;

山本大辅 ;

小岩崎刚 .

中国专利 :CN102473639B ,2012-05-23

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

益本宽之 .

中国专利 :CN111816633A ,2020-10-23

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