半导体金属内连线的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01116180.9

申请日：

2001-05-25

公开(公告)号：

CN1388573A

公开(公告)日：

2003-01-01

发明(设计)人：

欧阳允亮黄昭元

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科技园区

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21283 H01L2131 H01L213205

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

刘朝华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2001-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-07-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

形成半导体金属内连线的方法 [P].

刘豪杰 .

中国专利 :CN1385891A ,2002-12-18

[2]

半导体元件的内连线制造方法 [P].

李韦坤 .

中国专利 :CN110299319A ,2019-10-01

[3]

半导体装置及内连线的制造方法 [P].

庄学理 ;

余振华 ;

吕伯雄 ;

吴斯安 .

中国专利 :CN1790666A ,2006-06-21

[4]

半导体元件避免钨插塞损失阻挡层的制造方法 [P].

何文郁 ;

李森楠 ;

谢松均 ;

陈慧伦 .

中国专利 :CN1233846A ,1999-11-03

[5]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

河村圭子 ;

一关健太郎 ;

西胁达也 .

日本专利 :CN120825974A ,2025-10-21

[6]

半导体结构的制造方法和半导体结构 [P].

杨蒙蒙 ;

白杰 .

中国专利 :CN114695097A ,2022-07-01

[7]

半导体结构的制造方法和半导体结构 [P].

杨蒙蒙 ;

白杰 .

中国专利 :CN114695097B ,2025-04-04

[8]

半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN101447412A ,2009-06-03

[9]

金属内连线的制造方法 [P].

陈逸男 ;

陈宽谋 .

中国专利 :CN1267985C ,2005-01-19

[10]

金属内连线的制造方法 [P].

包天一 ;

黎丽萍 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1243378C ,2004-03-31

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