半导体元件避免钨插塞损失阻挡层的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98115641.X

申请日：

1998-07-03

公开(公告)号：

CN1233846A

公开(公告)日：

1999-11-03

发明(设计)人：

何文郁李森楠谢松均陈慧伦

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

H01L2130 H01L21768

代理机构：

柳沈知识产权律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-11-03	公开	公开
2018-07-27	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/283 申请日:19980703 授权公告日:20031022
2003-10-22	授权	授权
2001-05-09	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2000-09-27	著录项目变更	著录项目变更变更事项:申请人变更前:世大积体电路股份有限公司变更后:台湾积体电路制造股份有限公司

共 50 条

[1]

半导体元件的阻挡层孔洞消除方法 [P].

林平伟 ;

高明宽 ;

谢丞忠 .

中国专利 :CN1380686A ,2002-11-20

[2]

半导体内阻挡层的制造方法和有这种阻挡层的半导体元件 [P].

F·欣特迈尔 ;

C·马祖雷－埃斯佩乔 .

中国专利 :CN1208249A ,1999-02-17

[3]

制作钨插塞的方法 [P].

廖雅卉 ;

白弘吉 ;

毛明瑞 ;

李树恩 .

中国专利 :CN1317755C ,2004-10-13

[4]

伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法 [P].

林平伟 ;

姜兆声 ;

游曜声 .

中国专利 :CN1380687A ,2002-11-20

[5]

半导体元件的阻挡层的形成方法及装置 [P].

林比奥 ;

李汉春 .

中国专利 :CN1395298A ,2003-02-05

[6]

扩散阻挡层和带扩散阻挡层的半导体器件及其制造方法 [P].

斯蒂芬·A·科恩 ;

蒂莫西·J·多尔顿 ;

约翰·A·费兹西蒙斯 ;

斯蒂芬·M·盖兹 ;

莱恩·M·基格纳克 ;

保罗·C·詹米森 ;

康－吾·李 ;

辛帕斯·帕鲁舒塔曼 ;

达尔·D·利斯坦诺 ;

伊万·西蒙尼 ;

霍雷肖·S·威尔德曼 .

中国专利 :CN1186814C ,2001-08-15

[7]

半导体元件的制造方法以及插塞的制造方法 [P].

黄明山 ;

王炳尧 ;

陈大川 .

中国专利 :CN100380628C ,2006-11-01

[8]

半导体金属内连线的制造方法 [P].

欧阳允亮 ;

黄昭元 .

中国专利 :CN1388573A ,2003-01-01

[9]

制造具有扩散阻挡层的半导体装置的方法 [P].

黄义晟 .

中国专利 :CN1694238A ,2005-11-09

[10]

包括阻挡层的半导体电极 [P].

阿拉温德·库马尔·钱迪兰 ;

穆罕默德·哈贾·纳泽鲁丁 ;

迈克尔·格雷泽尔 .

中国专利 :CN104106118B ,2014-10-15

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