半导体元件的制造方法以及插塞的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510065597.9

申请日：

2005-04-18

公开(公告)号：

CN100380628C

公开(公告)日：

2006-11-01

发明(设计)人：

黄明山王炳尧陈大川

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹市

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L213213 C23F132

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-04-09	授权	授权
2006-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-06-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101081291883 IPC(主分类):H01L 21/768 专利号:ZL2005100655979 申请日:20050418 授权公告日:20080409 终止日期:20100418
2006-11-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体元件的制造方法以及半导体元件的制造系统 [P].

荻原光彦 .

中国专利 :CN114127894A ,2022-03-01

[2]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

大野彰仁 ;

竹见政义 ;

富田信之 .

中国专利 :CN100550440C ,2006-06-07

[3]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

河原弘幸 .

日本专利 :CN118786589A ,2024-10-15

[4]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

阿部祐介 .

中国专利 :CN115315819A ,2022-11-08

[5]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

前田刚彰 ;

奥野博行 ;

横田嘉宏 .

中国专利 :CN103733310A ,2014-04-16

[6]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

斋藤晓 .

中国专利 :CN1971885A ,2007-05-30

[7]

半导体元件的制造方法以及半导体元件 [P].

哈里·黑德勒 ;

托尔斯坦·迈耶 ;

芭芭拉·瓦斯克斯 .

中国专利 :CN1245744C ,2004-04-14

[8]

半导体元件的制造方法以及半导体元件 [P].

山口一树 ;

住友新隆 .

中国专利 :CN113770549A ,2021-12-10

[9]

半导体元件以及半导体元件的制造方法 [P].

阿部祐介 .

日本专利 :CN115315819B ,2025-07-22

[10]

半导体元件的制造方法以及半导体元件 [P].

木谷智之 ;

井口知洋 ;

平原昌子 ;

西内秀夫 ;

东条启 ;

富冈泰造 .

中国专利 :CN100580875C ,2008-07-30

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