伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01116579.0

申请日：

2001-04-16

公开(公告)号：

CN1380687A

公开(公告)日：

2002-11-20

发明(设计)人：

林平伟姜兆声游曜声

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-11-20	公开	公开
2001-08-08	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2004-06-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2003-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体元件的阻挡层孔洞消除方法 [P].

林平伟 ;

高明宽 ;

谢丞忠 .

中国专利 :CN1380686A ,2002-11-20

[2]

半导体内阻挡层的制造方法和有这种阻挡层的半导体元件 [P].

F·欣特迈尔 ;

C·马祖雷－埃斯佩乔 .

中国专利 :CN1208249A ,1999-02-17

[3]

阻挡层形成方法以及半导体装置的制造方法 [P].

中野竜 .

中国专利 :CN113496893A ,2021-10-12

[4]

扩散阻挡层和带扩散阻挡层的半导体器件及其制造方法 [P].

斯蒂芬·A·科恩 ;

蒂莫西·J·多尔顿 ;

约翰·A·费兹西蒙斯 ;

斯蒂芬·M·盖兹 ;

莱恩·M·基格纳克 ;

保罗·C·詹米森 ;

康－吾·李 ;

辛帕斯·帕鲁舒塔曼 ;

达尔·D·利斯坦诺 ;

伊万·西蒙尼 ;

霍雷肖·S·威尔德曼 .

中国专利 :CN1186814C ,2001-08-15

[5]

阻挡层的形成方法 [P].

聂佳相 .

中国专利 :CN101764083B ,2010-06-30

[6]

阻挡层的形成方法和半导体器件 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103137549A ,2013-06-05

[7]

带场阻挡层的半导体器件的制造方法 [P].

张帅 ;

王海军 .

中国专利 :CN102931081A ,2013-02-13

[8]

半导体元件避免钨插塞损失阻挡层的制造方法 [P].

何文郁 ;

李森楠 ;

谢松均 ;

陈慧伦 .

中国专利 :CN1233846A ,1999-11-03

[9]

具有薄阻挡层的半导体层结构 [P].

T.刘 ;

李星 ;

H.杰 .

中国专利 :CN113851930A ,2021-12-28

[10]

扩散阻挡层和扩散阻挡层的制造方法 [P].

M·哈拉兹奥尔松 ;

H·特兰夸克 ;

A·加利相 .

中国专利 :CN1977404A ,2007-06-06

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