阻挡层的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810208067.9

申请日：

2008-12-25

公开(公告)号：

CN101764083B

公开(公告)日：

2010-06-30

发明(设计)人：

聂佳相

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L213213

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-10-05	授权	授权
2019-12-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20081225 授权公告日:20111005 终止日期:20181225
2010-06-30	公开	公开
2010-08-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005079623 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2008102080679 申请日:20081225

共 50 条

[1]

低K介质阻挡层及其形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103390577A ,2013-11-13

[2]

金属硅化物阻挡层的形成方法 [P].

王卉 ;

康军 ;

令海阳 .

中国专利 :CN102543716B ,2012-07-04

[3]

阻挡层的形成方法和半导体器件 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103137549A ,2013-06-05

[4]

钴阻挡层的形成方法和金属互连工艺 [P].

雷通 ;

方精训 .

中国专利 :CN104795358A ,2015-07-22

[5]

金属硅化物阻挡层的形成方法及半导体器件 [P].

曾翔 ;

蔡彬 ;

陈昊瑜 ;

黄冠群 ;

齐瑞生 .

中国专利 :CN120417391A ,2025-08-01

[6]

一种低K介质阻挡层及其形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103383922A ,2013-11-06

[7]

扩散阻挡层和扩散阻挡层的制造方法 [P].

M·哈拉兹奥尔松 ;

H·特兰夸克 ;

A·加利相 .

中国专利 :CN1977404A ,2007-06-06

[8]

阻挡层形成方法以及半导体装置的制造方法 [P].

中野竜 .

中国专利 :CN113496893A ,2021-10-12

[9]

半导体元件的阻挡层的形成方法及装置 [P].

林比奥 ;

李汉春 .

中国专利 :CN1395298A ,2003-02-05

[10]

使用热处理的阻挡层形成 [P].

R·K·乔希 ;

K-H·旺 ;

S·维尔克菲尔 .

中国专利 :CN107785251B ,2018-03-09

← 1 2 3 4 5 →