一种低K介质阻挡层及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210137455.9

申请日：

2012-05-03

公开(公告)号：

CN103383922A

公开(公告)日：

2013-11-06

发明(设计)人：

周鸣

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23532

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101747587546 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2012101374559 申请公布日:20131106
2013-11-06	公开	公开
2013-12-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101547930898 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2012101374559 申请日:20120503

共 50 条

[1]

低K介质阻挡层及其形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103390577A ,2013-11-13

[2]

阻挡层的形成方法 [P].

聂佳相 .

中国专利 :CN101764083B ,2010-06-30

[3]

一种低K介质层及其形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103367238B ,2013-10-23

[4]

金属硅化物阻挡层的形成方法 [P].

王卉 ;

康军 ;

令海阳 .

中国专利 :CN102543716B ,2012-07-04

[5]

多孔低k介质层的形成方法及多孔低k介质层 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN104103572A ,2014-10-15

[6]

阻挡层及其制造方法 [P].

游萃蓉 ;

卢火铁 ;

孙世伟 ;

黄益民 .

中国专利 :CN1227402A ,1999-09-01

[7]

阻挡层的形成方法和半导体器件 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103137549A ,2013-06-05

[8]

得到具有优良抗蚀刻性的低k电介质阻挡层的方法 [P].

许惠雯 ;

刘宜君 ;

夏立群 ;

德里克·R·维迪 ;

伊沙姆·迈’萨德 .

中国专利 :CN101419915A ,2009-04-29

[9]

低K介质层中形成孔槽的方法 [P].

邓浩 ;

周鸣 .

中国专利 :CN103456680A ,2013-12-18

[10]

一种用于铜互连的刻蚀阻挡层及其制造方法 [P].

孙清清 ;

房润辰 ;

张卫 ;

王鹏飞 ;

周鹏 .

中国专利 :CN102842569A ,2012-12-26

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