一种低K介质层及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210101641.7

申请日：

2012-03-31

公开(公告)号：

CN103367238B

公开(公告)日：

2013-10-23

发明(设计)人：

周鸣

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区上海市张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101542138275 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2012101016417 申请日:20120331
2016-02-03	授权	授权
2013-10-23	公开	公开

共 50 条

[1]

低K介质阻挡层及其形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103390577A ,2013-11-13

[2]

一种低K介质阻挡层及其形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103383922A ,2013-11-06

[3]

多孔低k介质层的形成方法及多孔低k介质层 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN104103572A ,2014-10-15

[4]

低K介质层结构、半导体器件结构及其形成方法 [P].

李若加 ;

陈国庆 .

中国专利 :CN102044525A ,2011-05-04

[5]

低K介质层中形成孔槽的方法 [P].

邓浩 ;

周鸣 .

中国专利 :CN103456680A ,2013-12-18

[6]

超低K介质层的形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN105720005A ,2016-06-29

[7]

介质层的形成方法 [P].

邓浩 ;

张彬 .

中国专利 :CN102891080A ,2013-01-23

[8]

介质层的形成方法 [P].

汪钉崇 ;

蓝受龙 ;

杨小明 .

中国专利 :CN100517600C ,2008-04-02

[9]

介质层的形成方法 [P].

邓浩 ;

张彬 .

中国专利 :CN102903620A ,2013-01-30

[10]

介质层的形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN102800622A ,2012-11-28

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