低K介质层中形成孔槽的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210183531.X

申请日：

2012-06-05

公开(公告)号：

CN103456680A

公开(公告)日：

2013-12-18

发明(设计)人：

邓浩周鸣

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-18	公开	公开
2014-01-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101562732238 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:201210183531X 申请日:20120605
2015-11-25	授权	授权

共 50 条

[1]

在低介电常数介质层中形成通孔的方法 [P].

赵林林 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101355047B ,2009-01-28

[2]

低K介质阻挡层及其形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103390577A ,2013-11-13

[3]

多孔低k介质层的形成方法及多孔低k介质层 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN104103572A ,2014-10-15

[4]

一种低K介质阻挡层及其形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103383922A ,2013-11-06

[5]

一种低K介质层及其形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN103367238B ,2013-10-23

[6]

在电介质层上形成孔的方法 [P].

孙武 ;

王新鹏 .

中国专利 :CN101587838B ,2009-11-25

[7]

硬掩膜层结构及低K介质层刻蚀方法 [P].

符雅丽 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103377884A ,2013-10-30

[8]

低K介质层结构、半导体器件结构及其形成方法 [P].

李若加 ;

陈国庆 .

中国专利 :CN102044525A ,2011-05-04

[9]

选择性形成高K介质层的方法 [P].

陈勇 .

中国专利 :CN103681269A ,2014-03-26

[10]

超低K介质层的形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN105720005A ,2016-06-29

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