半导体装置的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200810185707.9
申请日
2008-11-27
公开(公告)号
CN101447412A
公开(公告)日
2009-06-03
发明(设计)人
山崎舜平
申请人
申请人地址
日本神奈川县厚木市
IPC主分类号
H01L2100
IPC分类号
H01L21336 H01L21205
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
柯广华;王丹昕
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置的制造方法及半导体装置 [P]. 
河村圭子 ;
一关健太郎 ;
西胁达也 .
日本专利 :CN120825974A ,2025-10-21
[2]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
矢野尚 .
中国专利 :CN1619821A ,2005-05-25
[3]
半导体装置的制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
手塚祐朗 ;
鸟海聪志 ;
古野诚 ;
神保安弘 ;
大力浩二 ;
桑原秀明 .
中国专利 :CN101369540A ,2009-02-18
[4]
碳化硅半导体装置的制造方法 [P]. 
河田泰之 ;
米泽喜幸 .
中国专利 :CN104704609B ,2015-06-10
[5]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
竹冈慎治 .
中国专利 :CN101236988A ,2008-08-06
[6]
半导体装置的制造方法 [P]. 
沈香谷 ;
陈殿豪 .
中国专利 :CN114335067A ,2022-04-12
[7]
半导体装置的制造方法 [P]. 
山崎舜平 .
中国专利 :CN101339905A ,2009-01-07
[8]
半导体装置的制造方法 [P]. 
羽持贵士 ;
冈崎健一 ;
井户尻悟 ;
中泽安孝 .
中国专利 :CN113396483A ,2021-09-14
[9]
半导体装置的制造方法 [P]. 
神力博 ;
久保万身 .
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[10]
微晶半导体膜的制造方法及半导体装置的制造方法 [P]. 
小松立 ;
神保安弘 ;
宫入秀和 .
中国专利 :CN102386072B ,2012-03-21