碳化硅半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380052050.8

申请日：

2013-09-27

公开(公告)号：

CN104704609B

公开(公告)日：

2015-06-10

发明(设计)人：

河田泰之米泽喜幸

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C23C1642 C30B2520 C30B2936 H01L21336 H01L2912 H01L2978

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

尹淑梅;孙昌浩

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20130927 授权公告日:20170308 终止日期:20190927
2015-06-10	公开	公开
2015-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101616034895 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2013800520508 申请日:20130927
2017-03-08	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅半导体装置的制造方法以及碳化硅半导体装置 [P].

河田泰之 ;

米泽喜幸 .

中国专利 :CN105008598A ,2015-10-28

[2]

碳化硅半导体装置的制造方法以及碳化硅半导体装置 [P].

宫崎正行 .

中国专利 :CN106536793A ,2017-03-22

[3]

碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

中岛经宏 ;

岩谷将伸 ;

今井文一 .

中国专利 :CN105453228A ,2016-03-30

[4]

碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

川畑直之 ;

永久雄一 ;

田中贵规 ;

岩松俊明 .

中国专利 :CN115004342A ,2022-09-02

[5]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大濑直之 ;

今井文一 ;

中嶋经宏 ;

福田宪司 ;

原田信介 ;

岡本光央 .

中国专利 :CN105765698A ,2016-07-13

[6]

碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

川畑直之 ;

永久雄一 ;

田中贵规 ;

岩松俊明 .

日本专利 :CN115004342B ,2025-08-08

[7]

碳化硅半导体装置的制造方法、半导体基体的制造方法、碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造装置 [P].

福田祐介 ;

渡部善之 .

中国专利 :CN107533961B ,2018-01-02

[8]

碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

前山雄介 ;

渡部善之 ;

中村俊一 .

中国专利 :CN104704611A ,2015-06-10

[9]

碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

吉川功 ;

中泽治雄 ;

井口研一 ;

关康和 .

中国专利 :CN106067415A ,2016-11-02

[10]

制造碳化硅半导体装置的方法 [P].

藤川一洋 ;

增田健良 .

中国专利 :CN101536162A ,2009-09-16

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