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碳化硅半导体装置的制造方法、半导体基体的制造方法、碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201580007858.3
申请日：
2015-12-11
公开(公告)号：
CN107533961B
公开(公告)日：
2018-01-02
发明(设计)人：
福田祐介
渡部善之
申请人：
申请人地址：
日本国东京都千代田区大手町二丁目2番1号
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
代理机构：
上海德昭知识产权代理有限公司 31204
代理人：
郁旦蓉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2018-01-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20151211 |
| 2020-08-21 | 授权 | 授权 |
| 2018-01-02 | 公开 | 公开 |