一种提升发光效率的LED芯片制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111114620.4

申请日：

2021-09-23

公开(公告)号：

CN113823715B

公开(公告)日：

2024-05-14

发明(设计)人：

徐平

申请人：

湘能华磊光电股份有限公司

申请人地址：

423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园

IPC主分类号：

H01L33/02

IPC分类号：

H01L33/06 H01L33/14 H01L33/12 H01L33/32 H01L33/00

代理机构：

长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214

代理人：

张勇;刘伊旸

法律状态：

授权

国省代码：

湖南省郴州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种提升发光效率的LED芯片制作方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN113823715A ,2021-12-21

[2]

一种提升发光效率的LED制作方法 [P].

林传强 ;

李超 ;

季辉 .

中国专利 :CN115411166B ,2025-04-22

[3]

一种提升发光效率的LED制作方法 [P].

林传强 ;

李超 ;

季辉 .

中国专利 :CN115411166A ,2022-11-29

[4]

LED芯片、提升LED芯片发光性能的外延片及制备方法 [P].

袁琳 ;

贾钊 ;

窦志珍 ;

胡恒广 .

中国专利 :CN118630112A ,2024-09-10

[5]

一种LED芯片的制作方法 [P].

艾国齐 ;

汪延明 ;

苗振林 ;

徐平 .

中国专利 :CN105070799B ,2015-11-18

[6]

一种提升发光效率的LED多量子阱层生长方法 [P].

徐平 ;

龚彬彬 ;

周孝维 ;

胡耀武 .

中国专利 :CN111952418A ,2020-11-17

[7]

一种提升发光效率的LED外延片结构 [P].

徐平 ;

许亚兵 ;

张小球 .

中国专利 :CN115548178A ,2022-12-30

[8]

一种发光效率高的LED芯片及其制作方法 [P].

王海燕 .

中国专利 :CN106784176B ,2017-05-31

[9]

一种具有高发光效率的LED芯片及其制作方法 [P].

王海燕 .

中国专利 :CN106558638A ,2017-04-05

[10]

发光芯片的制作方法 [P].

柴圆圆 ;

王涛 ;

成飞 .

中国专利 :CN118173665A ,2024-06-11

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