制造可变电阻存储器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811323498.X

申请日：

2018-11-08

公开(公告)号：

CN109786547B

公开(公告)日：

2024-02-23

发明(设计)人：

李正敏金柱显朴正桓吴世忠李同规洪京一

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10N50/01

IPC分类号：

H10N50/10 H10N50/80

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

李娜

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-23	授权	授权

共 50 条

[1]

可变电阻存储器件和制造可变电阻存储器件的方法 [P].

朴正熙 ;

朴志镐 ;

朴昌叶 ;

安东浩 .

中国专利 :CN110875428A ,2020-03-10

[2]

制造可变电阻存储器件的方法 [P].

李正敏 ;

金柱显 ;

朴正桓 ;

吴世忠 ;

李同规 ;

洪京一 .

中国专利 :CN109786547A ,2019-05-21

[3]

制造可变电阻存储器件的方法 [P].

金俊会 ;

柳炅勋 ;

朴晙镐 ;

裴丙才 ;

李吉镐 ;

全智贤 ;

赵贤雅 .

韩国专利 :CN120640690A ,2025-09-12

[4]

可变电阻存储器件及形成可变电阻存储器件的方法 [P].

姜信在 ;

吴圭焕 ;

郑智允 ;

黄俊渊 .

中国专利 :CN109216402A ,2019-01-15

[5]

可变电阻存储器件及形成可变电阻存储器件的方法 [P].

姜信在 ;

吴圭焕 ;

郑智允 ;

黄俊渊 .

韩国专利 :CN109216402B ,2024-04-05

[6]

可变电阻存储器件 [P].

朴日穆 ;

白光铉 ;

宋苏智 .

韩国专利 :CN110858621B ,2024-07-12

[7]

可变电阻存储器件 [P].

文奏铉 ;

郭泳珠 ;

柳承翰 .

中国专利 :CN113903765A ,2022-01-07

[8]

可变电阻存储器件 [P].

金秀吉 .

中国专利 :CN103855304B ,2014-06-11

[9]

可变电阻存储器件 [P].

吴哲 ;

朴淳五 ;

朴正熙 ;

安东浩 ;

堀井秀树 .

中国专利 :CN107123734B ,2017-09-01

[10]

可变电阻存储器件 [P].

崔雪 ;

堀井秀树 ;

安东浩 ;

朴盛健 ;

成东俊 ;

梁民圭 ;

李政武 .

中国专利 :CN107665947B ,2018-02-06

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