制造可变电阻存储器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510256830.9

申请日：

2025-03-05

公开(公告)号：

CN120640690A

公开(公告)日：

2025-09-12

发明(设计)人：

金俊会柳炅勋朴晙镐裴丙才李吉镐全智贤赵贤雅

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国

IPC主分类号：

H10B61/00

IPC分类号：

H10N50/01 H10N50/10 H10N50/80 G11C5/06

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

孙尚白;范心田

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-12	公开	公开

共 50 条

[1]

可变电阻存储器件和制造可变电阻存储器件的方法 [P].

朴正熙 ;

朴志镐 ;

朴昌叶 ;

安东浩 .

中国专利 :CN110875428A ,2020-03-10

[2]

可变电阻存储器件 [P].

赵贞贤 ;

郑有真 ;

寺井真之 ;

尹镇灿 .

中国专利 :CN111009607A ,2020-04-14

[3]

可变电阻存储器件 [P].

朴进浩 ;

左彗琳 .

韩国专利 :CN120614833A ,2025-09-09

[4]

制造可变电阻存储器件的方法 [P].

李正敏 ;

金柱显 ;

朴正桓 ;

吴世忠 ;

李同规 ;

洪京一 .

中国专利 :CN109786547A ,2019-05-21

[5]

制造可变电阻存储器件的方法 [P].

李正敏 ;

金柱显 ;

朴正桓 ;

吴世忠 ;

李同规 ;

洪京一 .

韩国专利 :CN109786547B ,2024-02-23

[6]

可变电阻存储器件及形成可变电阻存储器件的方法 [P].

姜信在 ;

吴圭焕 ;

郑智允 ;

黄俊渊 .

中国专利 :CN109216402A ,2019-01-15

[7]

可变电阻存储器件及形成可变电阻存储器件的方法 [P].

姜信在 ;

吴圭焕 ;

郑智允 ;

黄俊渊 .

韩国专利 :CN109216402B ,2024-04-05

[8]

可变电阻存储器件 [P].

朴日穆 ;

白光铉 ;

宋苏智 .

韩国专利 :CN110858621B ,2024-07-12

[9]

可变电阻存储器件 [P].

文奏铉 ;

郭泳珠 ;

柳承翰 .

中国专利 :CN113903765A ,2022-01-07

[10]

可变电阻存储器件 [P].

金秀吉 .

中国专利 :CN103855304B ,2014-06-11

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