具有金属场板接触件的晶体管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311423306.3
申请日
2023-10-30
公开(公告)号
CN118016712A
公开(公告)日
2024-05-10
发明(设计)人
席史·M·潘迪 R·克里什纳萨米 朱德尚·R·侯尔特 陈忠锋
申请人
格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请人地址
美国纽约州
IPC主分类号
H01L29/78
IPC分类号
H01L29/40 H01L21/336
代理机构
北京戈程知识产权代理有限公司 11314
代理人
程伟;王锦阳
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
具有场板的高压晶体管 [P]. 
R·泰德帕里 ;
C·S·徐 .
中国专利 :CN113811986A ,2021-12-17
[2]
具有金属背面场板的晶体管器件 [P]. 
J·G·费奥雷恩扎 ;
D·皮埃德拉 .
美国专利 :CN121218625A ,2025-12-26
[3]
倒装晶体管的金属布线方法、倒装晶体管、器件及设备 [P]. 
吴恒 ;
卢浩然 ;
王润声 ;
黄如 .
中国专利 :CN118538665A ,2024-08-23
[4]
场效晶体管 [P]. 
堤姆斯文森 ;
郑兆钦 ;
麦特西亚斯帕斯拉克 ;
马丁克里斯多福霍兰德 ;
陈则安 ;
李连忠 .
中国专利 :CN112687798A ,2021-04-20
[5]
具有下沉接触件的晶体管器件及其制造方法 [P]. 
熊育飞 ;
杨红 ;
M·F·奇索姆 ;
刘运龙 .
中国专利 :CN110832617A ,2020-02-21
[6]
具有沟槽场板的高压双极型晶体管 [P]. 
C.卡道 ;
N.克里施克 ;
T.迈尔 .
中国专利 :CN102315250A ,2012-01-11
[7]
具有下沉接触件的晶体管器件及其制造方法 [P]. 
熊育飞 ;
杨红 ;
M·F·奇索姆 ;
刘运龙 .
美国专利 :CN110832617B ,2024-04-16
[8]
具有沟槽场板的高压双极型晶体管 [P]. 
C.卡道 ;
N.克里施克 ;
T.迈尔 .
中国专利 :CN104134664B ,2014-11-05
[9]
具有场电极的晶体管器件 [P]. 
C·坎彭 ;
M·聪德尔 .
中国专利 :CN105720102A ,2016-06-29
[10]
具有场电极的晶体管器件 [P]. 
F·希尔勒 ;
A·毛德 .
中国专利 :CN103681867B ,2014-03-26