窄带选择性超表面辐射器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210200320.6

申请日：

2022-03-02

公开(公告)号：

CN114497262B

公开(公告)日：

2024-04-02

发明(设计)人：

詹耀辉

申请人：

爱思菲尔光学科技（苏州）有限公司

申请人地址：

215500 江苏省苏州市常熟市常福街道建业路2号7幢

IPC主分类号：

H01L31/101

IPC分类号：

H01L31/0236 H01L31/18

代理机构：

上海领匠知识产权代理有限公司 31404

代理人：

李华

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-02	授权	授权

共 50 条

[1]

窄带选择性超表面辐射器及其制造方法 [P].

詹耀辉 .

中国专利 :CN114497262A ,2022-05-13

[2]

高选择性辐射制冷超表面的构筑方法 [P].

张轶楠 ;

王彤 ;

朱倩 ;

顾敏 .

中国专利 :CN119123545A ,2024-12-13

[3]

一种应用于热光伏系统的超表面选择性辐射器及其制备方法 [P].

赵长颖 ;

刘旭晶 ;

王博翔 ;

徐建明 ;

张文斌 .

中国专利 :CN114189198B ,2024-04-12

[4]

一种应用于热光伏系统的超表面选择性辐射器及其制备方法 [P].

赵长颖 ;

刘旭晶 ;

王博翔 ;

徐建明 ;

张文斌 .

中国专利 :CN114189198A ,2022-03-15

[5]

一种双层腔体式光谱选择性辐射器及其工作方法 [P].

郭子炎 ;

曹邵文 ;

蔡琦琳 ;

叶庆 ;

王健翔 ;

吴玺 .

中国专利 :CN118694265A ,2024-09-24

[6]

选择性吸收辐射涂层、吸收管及其制造方法 [P].

K·西尔米 ;

J·舒尔特-菲谢迪克 ;

T·库克尔科恩 ;

C·希尔德布兰特 ;

W·格拉夫 ;

A·乔治 .

中国专利 :CN101514853B ,2009-08-26

[7]

超表面红外窄带吸收器及其制造方法 [P].

张高飞 ;

赵晓光 ;

王夏禹 ;

黄晨航 ;

尤政 .

中国专利 :CN119029563B ,2025-10-10

[8]

超表面红外窄带吸收器及其制造方法 [P].

张高飞 ;

赵晓光 ;

王夏禹 ;

黄晨航 ;

尤政 .

中国专利 :CN119029563A ,2024-11-26

[9]

一种自旋选择可调型超窄带滤波器及其自旋选择性调节方法 [P].

刘旻 ;

索虹飞 ;

郜鹏 ;

马英 ;

郑娟娟 .

中国专利 :CN119224903A ,2024-12-31

[10]

反应器表面的选择性蚀刻 [P].

S·瑞哈万 ;

E·希罗 ;

M·韦尔盖塞 .

中国专利 :CN102365708A ,2012-02-29

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