超表面红外窄带吸收器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411123436.X

申请日：

2024-08-15

公开(公告)号：

CN119029563A

公开(公告)日：

2024-11-26

发明(设计)人：

张高飞赵晓光王夏禹黄晨航尤政

申请人：

清华大学

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园1号

IPC主分类号：

H01Q17/00

IPC分类号：

H01Q15/00 C23C14/24 C23C14/14 C23C14/02 B05D1/00

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

尹璐

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-26	公开	公开
2024-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01Q 17/00申请日:20240815
2025-10-10	授权	授权

共 50 条

[1]

超表面红外窄带吸收器及其制造方法 [P].

张高飞 ;

赵晓光 ;

王夏禹 ;

黄晨航 ;

尤政 .

中国专利 :CN119029563B ,2025-10-10

[2]

超窄带超表面吸收器 [P].

高扬 ;

刘畅 ;

张景煜 ;

冯恒利 ;

房冬超 ;

王金成 ;

张作鑫 .

中国专利 :CN115113309A ,2022-09-27

[3]

超窄带超表面吸收器 [P].

高扬 ;

刘畅 ;

张景煜 ;

冯恒利 ;

房冬超 ;

王金成 ;

张作鑫 .

中国专利 :CN115113309B ,2025-07-15

[4]

超窄带超表面吸收器 [P].

刘畅 ;

高扬 ;

张景煜 ;

冯恒利 ;

房冬超 ;

王金成 ;

张作鑫 .

中国专利 :CN217879701U ,2022-11-22

[5]

多波段超表面吸收器 [P].

高扬 ;

刘畅 ;

张景煜 ;

冯恒利 ;

房冬超 ;

王金成 ;

张作鑫 ;

王乐慧 ;

韩萌 ;

孟祥程 .

中国专利 :CN114578464A ,2022-06-03

[6]

半导体超表面电磁波吸收器及其制备方法 [P].

刘晓山 ;

钟浩宗 ;

付国兰 ;

刘桂强 ;

刘正奇 .

中国专利 :CN110703371B ,2020-01-17

[7]

一种面向中波红外的宽带可重构超表面完美吸收器 [P].

周文 ;

代力 ;

张伟 ;

王疆靖 .

中国专利 :CN118859384B ,2025-10-31

[8]

一种面向中波红外的宽带可重构超表面完美吸收器 [P].

周文 ;

代力 ;

张伟 ;

王疆靖 .

中国专利 :CN118859384A ,2024-10-29

[9]

基于超材料结构的太赫兹双频段窄带吸收器及其制作方法 [P].

潘武 ;

沈涛 ;

马勇 ;

李燚 ;

张雪雯 ;

杨力豪 .

中国专利 :CN113410647A ,2021-09-17

[10]

可调谐窄带超材料吸收器 [P].

冯恒利 ;

高扬 ;

张景煜 ;

张作鑫 ;

房冬超 ;

刘畅 ;

王金成 .

中国专利 :CN217036018U ,2022-07-22

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