氧化物烧结体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080046931.9

申请日：

2020-06-24

公开(公告)号：

CN114008000B

公开(公告)日：

2024-01-12

发明(设计)人：

笘井重和上冈义弘胜又聪佐佐木健一

申请人：

出光兴产株式会社

申请人地址：

日本东京都千代田区大手町一丁目2番1号

IPC主分类号：

C04B35/453

IPC分类号：

C04B35/053 C04B35/622 C23C14/08 C23C14/34

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

马倩;初明明

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-12	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化物烧结体 [P].

笘井重和 ;

上冈义弘 ;

胜又聪 ;

佐佐木健一 .

中国专利 :CN114008000A ,2022-02-01

[2]

氧化物烧结体 [P].

笘井重和 ;

上冈义弘 ;

胜又聪 ;

佐佐木健一 .

日本专利 :CN117819960A ,2024-04-05

[3]

氧化物烧结体 [P].

中田邦彦 .

中国专利 :CN106660881A ,2017-05-10

[4]

氧化物烧结体 [P].

阿部能之 .

中国专利 :CN1326154C ,2004-03-03

[5]

氧化物烧结体 [P].

苫井重和 ;

胜又聪 ;

大山正嗣 .

日本专利 :CN118973982A ,2024-11-15

[6]

氧化物烧结体 [P].

挂野崇 ;

角田浩二 .

中国专利 :CN107709270A ,2018-02-16

[7]

氧化物烧结体及氧化物透明导电膜 [P].

秋池良 ;

土田裕也 ;

仓持豪人 .

中国专利 :CN108698932B ,2018-10-23

[8]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

西山功兵 ;

田尾幸树 .

中国专利 :CN110662727A ,2020-01-07

[9]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

松元谦士 ;

井上雅树 ;

中村信一郎 ;

矢野智泰 .

中国专利 :CN110741106A ,2020-01-31

[10]

氧化物烧结体及溅射靶 [P].

西山功兵 ;

田尾幸树 .

中国专利 :CN110636996B ,2019-12-31

← 1 2 3 4 5 →