下电极系统及半导体工艺设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410017018.6

申请日：

2024-01-04

公开(公告)号：

CN117832055A

公开(公告)日：

2024-04-05

发明(设计)人：

郭子煜郭士选马恩泽苏恒毅郭春徐珂浩张辉

申请人：

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01L21/67 H01L21/687

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

彭瑞欣;王婷

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-05	公开	公开
2025-08-22	授权	授权
2024-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01J 37/32申请日:20240104

共 50 条

[1]

下电极系统及半导体工艺设备 [P].

郭子煜 ;

郭士选 ;

马恩泽 ;

苏恒毅 ;

郭春 ;

徐珂浩 ;

张辉 .

中国专利 :CN117832055B ,2025-08-22

[2]

下电极装置及半导体工艺设备 [P].

李诗哲 ;

张璐 .

中国专利 :CN113718223A ,2021-11-30

[3]

下电极组件及半导体工艺设备 [P].

陈兆滨 .

中国专利 :CN117995639A ,2024-05-07

[4]

下电极机构及半导体工艺设备 [P].

王景远 ;

李会鑫 ;

韦刚 ;

王蕾越 ;

葛军 ;

李东彧 .

中国专利 :CN117936347A ,2024-04-26

[5]

下电极装置及半导体工艺设备 [P].

郑健飞 .

中国专利 :CN120280326A ,2025-07-08

[6]

下电极装置及半导体工艺设备 [P].

张照磊 .

中国专利 :CN120977852A ,2025-11-18

[7]

下电极结构、半导体工艺腔室及半导体工艺设备 [P].

王松光 .

中国专利 :CN121096842A ,2025-12-09

[8]

下电极组件及半导体工艺设备 [P].

柳朋亮 ;

申爱科 .

中国专利 :CN112349576B ,2021-02-09

[9]

承载装置、下电极组件及半导体工艺设备 [P].

李华 ;

刘建 .

中国专利 :CN115206767B ,2024-10-25

[10]

下电极组件、半导体工艺设备及工艺方法 [P].

孙航 .

中国专利 :CN120833995A ,2025-10-24

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