下电极装置及半导体工艺设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410620571.9
申请日
2024-05-17
公开(公告)号
CN120977852A
公开(公告)日
2025-11-18
发明(设计)人
张照磊
申请人
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
H01J37/32
IPC分类号
H01L21/67 H01L21/683
代理机构
北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315
代理人
刘亚岐
法律状态
公开
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
下电极装置及半导体工艺设备 [P]. 
李诗哲 ;
张璐 .
中国专利 :CN113718223A ,2021-11-30
[2]
下电极装置及半导体工艺设备 [P]. 
郑健飞 .
中国专利 :CN120280326A ,2025-07-08
[3]
下电极系统及半导体工艺设备 [P]. 
郭子煜 ;
郭士选 ;
马恩泽 ;
苏恒毅 ;
郭春 ;
徐珂浩 ;
张辉 .
中国专利 :CN117832055A ,2024-04-05
[4]
下电极组件及半导体工艺设备 [P]. 
陈兆滨 .
中国专利 :CN117995639A ,2024-05-07
[5]
下电极机构及半导体工艺设备 [P]. 
王景远 ;
李会鑫 ;
韦刚 ;
王蕾越 ;
葛军 ;
李东彧 .
中国专利 :CN117936347A ,2024-04-26
[6]
下电极系统及半导体工艺设备 [P]. 
郭子煜 ;
郭士选 ;
马恩泽 ;
苏恒毅 ;
郭春 ;
徐珂浩 ;
张辉 .
中国专利 :CN117832055B ,2025-08-22
[7]
下电极装置、半导体工艺控制方法及半导体工艺设备 [P]. 
徐晶晶 ;
李璇 ;
赵晓建 ;
杨京 .
中国专利 :CN119480598A ,2025-02-18
[8]
半导体工艺设备的上电极装置及半导体工艺设备 [P]. 
杨健 ;
郭冰亮 ;
武树波 ;
赵晨光 ;
宋玲彦 ;
马迎功 ;
周麟 .
中国专利 :CN217903061U ,2022-11-25
[9]
下电极结构、半导体工艺腔室及半导体工艺设备 [P]. 
王松光 .
中国专利 :CN121096842A ,2025-12-09
[10]
下电极组件及半导体工艺设备 [P]. 
柳朋亮 ;
申爱科 .
中国专利 :CN112349576B ,2021-02-09