纳米晶体颗粒及其制造方法、发光器件和显示设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311588241.8
申请日
2023-11-24
公开(公告)号
CN118062876A
公开(公告)日
2024-05-24
发明(设计)人
元裕镐 金龙郁 P·赖斯 A·萨哈 R·亚达夫
申请人
三星电子株式会社 原子能和代替能源委员会 国家科学研究中心 格勒诺布尔阿尔卑斯大学
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
C01G15/00
IPC分类号
C01G9/08 C01F7/02 C09K11/62 C09K11/88 C09K11/02 H10K50/115
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
金拟粲
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的量子点群及发光器件 [P]. 
J.A.金 ;
元裕镐 ;
金星祐 ;
金泰亨 ;
李晶姬 ;
张银珠 .
中国专利 :CN110172348A ,2019-08-27
[2]
发光器件及其制造方法、显示设备和发光膜 [P]. 
张宰准 ;
金光熙 ;
尹园植 ;
张银珠 ;
O.曹 .
中国专利 :CN112993175A ,2021-06-18
[3]
发光器件及其制造方法、显示设备和发光膜 [P]. 
张宰准 ;
金光熙 ;
尹园植 ;
张银珠 ;
O.曹 .
韩国专利 :CN112993175B ,2025-09-12
[4]
发射性纳米晶体颗粒、其制备方法和包括发射性纳米晶体颗粒的器件 [P]. 
元裕镐 ;
闵智玄 ;
张银珠 ;
章效淑 .
韩国专利 :CN108219769B ,2024-01-16
[5]
发射性纳米晶体颗粒、其制备方法和包括发射性纳米晶体颗粒的器件 [P]. 
元裕镐 ;
闵智玄 ;
张银珠 ;
章效淑 .
中国专利 :CN108219769A ,2018-06-29
[6]
发光器件和发光器件的制造方法以及显示设备 [P]. 
车炯来 ;
金东旭 ;
金世咏 .
中国专利 :CN115702496A ,2023-02-14
[7]
半导体纳米颗粒、其制备方法、以及包括其的电致发光器件和显示设备 [P]. 
闵智玄 ;
尹多恩 ;
尹园植 ;
李在镕 ;
张豪根 ;
河炫同 ;
韩用锡 .
韩国专利 :CN119370883A ,2025-01-28
[8]
微型发光器件及其制造方法、显示设备 [P]. 
郭世维 ;
吴政 .
中国专利 :CN121240638A ,2025-12-30
[9]
纳米颗粒及其制备方法、发光器件及显示装置 [P]. 
郭海东 .
中国专利 :CN120209827A ,2025-06-27
[10]
制造发光器件的方法、发光器件和包括发光器件的显示设备 [P]. 
李耀闲 .
韩国专利 :CN120476689A ,2025-08-12