一种二维铁磁半导体材料及理论设计方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311678625.9

申请日：

2023-12-08

公开(公告)号：

CN117894543A

公开(公告)日：

2024-04-16

发明(设计)人：

魏小平杜兰兰孟江柳孙浩凯

申请人：

兰州交通大学

申请人地址：

730000 甘肃省兰州市安宁区安宁西路88号

IPC主分类号：

H01F1/40

IPC分类号：

H01F41/02 G16C60/00 G16C10/00

代理机构：

北京云嘉湃富知识产权代理有限公司 11678

代理人：

刘士畅

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

甘肃省兰州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01F 1/40申请公布日:20240416
2024-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01F 1/40申请日:20231208
2024-04-16	公开	公开

共 50 条

[1]

二维多铁半导体材料及其制备方法 [P].

魏钟鸣 ;

杨淮 ;

李京波 .

中国专利 :CN109166963A ,2019-01-08

[2]

一种二维半导体材料的掺杂方法及掺杂二维半导体材料 [P].

包文中 .

中国专利 :CN121171888A ,2025-12-19

[3]

一种室温铁磁磁性半导体材料及应用 [P].

虞澜 ;

康冶 ;

宋世金 ;

樊堃 ;

胡建立 ;

谭红琳 .

中国专利 :CN105761870A ,2016-07-13

[4]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200B ,2024-10-22

[5]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200A ,2022-06-21

[6]

二维重构铁电相宽带隙半导体材料及其制备方法 [P].

袁海东 ;

王立炜 ;

常晶晶 ;

林珍华 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN117577665A ,2024-02-20

[7]

一种计算铁掺杂磷烯二维稀磁半导体材料的制备方法 [P].

张树超 .

中国专利 :CN120236696A ,2025-07-01

[8]

包括二维半导体材料的半导体器件 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113224144A ,2021-08-06

[9]

利用JANUS结构调控二维反铁磁半导体自旋态的方法 [P].

牛艺杰 ;

封辉 ;

李鹤 ;

池强 .

中国专利 :CN119851822A ,2025-04-18

[10]

镉基铁磁半导体材料及其制备方法 [P].

靳常青 ;

陈碧娟 ;

邓正 .

中国专利 :CN107146676A ,2017-09-08

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