利用JANUS结构调控二维反铁磁半导体自旋态的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311353781.8
申请日
2023-10-18
公开(公告)号
CN119851822A
公开(公告)日
2025-04-18
发明(设计)人
牛艺杰 封辉 李鹤 池强
申请人
中国石油天然气集团有限公司 中国石油集团工程材料研究院有限公司
申请人地址
100007 北京市东城区东直门北大街9号
IPC主分类号
G16C60/00
IPC分类号
G16C10/00 G06F30/10 G06F30/20
代理机构
西安弘理专利事务所 61214
代理人
赵燕秋
法律状态
实质审查的生效
国省代码
陕西省 西安市
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共 50 条
[1]
具有反铁磁和半导体特性的二维硼化铁的制备方法 [P]. 
胡亮 ;
杨秉璋 ;
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[2]
一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置 [P]. 
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黄鑫宇 ;
林润峰 ;
彭追日 ;
童磊 ;
李政 ;
徐浪浪 ;
缪向水 .
中国专利 :CN114242886B ,2024-05-14
[3]
一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置 [P]. 
叶镭 ;
黄鑫宇 ;
林润峰 ;
彭追日 ;
童磊 ;
李政 ;
徐浪浪 ;
缪向水 .
中国专利 :CN114242886A ,2022-03-25
[4]
一种二维铁磁半导体材料及理论设计方法 [P]. 
魏小平 ;
杜兰兰 ;
孟江柳 ;
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[5]
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[6]
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[7]
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范斌斌 ;
胡城伟 ;
李晟曼 ;
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中国专利 :CN114649200A ,2022-06-21
[8]
二维半导体材料的转移方法 [P]. 
邓香香 ;
黄春晖 ;
颜泽毅 ;
范斌斌 ;
胡城伟 ;
李晟曼 ;
吴燕庆 .
中国专利 :CN114649200B ,2024-10-22
[9]
二维多铁半导体材料及其制备方法 [P]. 
魏钟鸣 ;
杨淮 ;
李京波 .
中国专利 :CN109166963A ,2019-01-08
[10]
包括二维半导体材料的半导体器件 [P]. 
李珉贤 ;
薛珉洙 ;
赵连柱 ;
申铉振 .
中国专利 :CN113224144A ,2021-08-06