一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111450173.X

申请日：

2021-11-30

公开(公告)号：

CN114242886A

公开(公告)日：

2022-03-25

发明(设计)人：

叶镭黄鑫宇林润峰彭追日童磊李政徐浪浪缪向水

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L4308

IPC分类号：

H01L4310 H01L4312

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

徐美琳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-25	公开	公开
2022-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/08 申请日:20211130

共 50 条

[1]

一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置 [P].

叶镭 ;

黄鑫宇 ;

林润峰 ;

彭追日 ;

童磊 ;

李政 ;

徐浪浪 ;

缪向水 .

中国专利 :CN114242886B ,2024-05-14

[2]

一种二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置效应调控的器件及其制备方法 [P].

钮伟 ;

刘项杰 .

中国专利 :CN117396059A ,2024-01-12

[3]

一种具有交换偏置效应的铁磁/反铁磁异质结及其制备 [P].

傅邱云 ;

仲世豪 ;

王超宏 ;

周令 .

中国专利 :CN110228822A ,2019-09-13

[4]

一种提高铁磁/反铁磁交换偏置双层膜性能的方法 [P].

于广华 ;

刘洋 ;

金川 .

中国专利 :CN101169937A ,2008-04-30

[5]

一种基于低维反铁磁/铁磁绝缘体异质结的交换偏置可调的器件 [P].

张帅 ;

应哲 ;

陈宁 ;

宋凤麒 .

中国专利 :CN115715143B ,2025-06-27

[6]

利用JANUS结构调控二维反铁磁半导体自旋态的方法 [P].

牛艺杰 ;

封辉 ;

李鹤 ;

池强 .

中国专利 :CN119851822A ,2025-04-18

[7]

一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构、制备方法及磁存储设备 [P].

叶钊赫 ;

叶建国 ;

苗君 .

中国专利 :CN105609630A ,2016-05-25

[8]

一种用于铁磁-反铁磁交换偏置体系的磁性测量方法 [P].

莫康信 ;

苏佳佳 .

中国专利 :CN116008880B ,2024-01-30

[9]

一种应力调控二维室温铁磁材料的器件、制备及调控方法 [P].

钮伟 ;

汪新伟 .

中国专利 :CN118139513A ,2024-06-04

[10]

一种交换偏置的镍基铁磁/反铁磁复合纳米纤维及其制备方法 [P].

陈平 ;

肖超 .

中国专利 :CN104313728A ,2015-01-28

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