一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构、制备方法及磁存储设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610070644.7

申请日：

2016-02-01

公开(公告)号：

CN105609630A

公开(公告)日：

2016-05-25

发明(设计)人：

叶钊赫叶建国苗君

申请人：

申请人地址：

063100 河北省唐山市古冶区经济开发区

IPC主分类号：

H01L4310

IPC分类号：

H01L4312

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯;冯丽欣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-25	公开	公开
2016-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101666701322 IPC(主分类):H01L 43/10 专利申请号:2016100706447 申请日:20160201
2021-04-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 43/10 申请公布日:20160525

共 50 条

[1]

一种反铁磁/铁电多铁异质结构及其制备方法 [P].

郑明 ;

关朋飞 ;

郭立童 .

中国专利 :CN113488585A ,2021-10-08

[2]

一种具有交换偏置效应的铁磁/反铁磁异质结及其制备 [P].

傅邱云 ;

仲世豪 ;

王超宏 ;

周令 .

中国专利 :CN110228822A ,2019-09-13

[3]

一种反铁磁结构及基于反铁磁结构的磁随机存储器 [P].

贾兴涛 ;

王海伦 ;

王世卓 ;

王蕾 ;

余伟阳 ;

蔡小琳 .

中国专利 :CN112652701A ,2021-04-13

[4]

一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎体系及其制备方法 [P].

代波 ;

蔡建旺 ;

赖武彦 .

中国专利 :CN100383897C ,2005-03-02

[5]

一种用边界磁畴保护反铁磁薄膜中磁斯格明子的方法 [P].

周艳 ;

赵月雷 ;

杨晟 ;

武凯 .

中国专利 :CN115035919A ,2022-09-09

[6]

一种用边界磁畴保护反铁磁薄膜中磁斯格明子的方法 [P].

周艳 ;

赵月雷 ;

杨晟 ;

武凯 .

中国专利 :CN115035919B ,2024-11-29

[7]

一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置 [P].

叶镭 ;

黄鑫宇 ;

林润峰 ;

彭追日 ;

童磊 ;

李政 ;

徐浪浪 ;

缪向水 .

中国专利 :CN114242886B ,2024-05-14

[8]

一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置 [P].

叶镭 ;

黄鑫宇 ;

林润峰 ;

彭追日 ;

童磊 ;

李政 ;

徐浪浪 ;

缪向水 .

中国专利 :CN114242886A ,2022-03-25

[9]

一种半金属合成反铁磁结构 [P].

徐晓光 ;

张德林 ;

姜勇 .

中国专利 :CN101593601A ,2009-12-02

[10]

一种反铁磁磁力计和反铁磁磁化表征的方法 [P].

金飚兵 ;

邱红松 ;

宋成 ;

黄琳 ;

周永健 .

中国专利 :CN115407250B ,2025-05-23

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