一种用边界磁畴保护反铁磁薄膜中磁斯格明子的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210758173.4

申请日：

2022-06-29

公开(公告)号：

CN115035919B

公开(公告)日：

2024-11-29

发明(设计)人：

周艳赵月雷杨晟武凯

申请人：

香港中文大学（深圳）

申请人地址：

518115 广东省深圳市龙岗区龙翔大道2001号

IPC主分类号：

G11B5/70

IPC分类号：

G11B5/706 G11B5/716

代理机构：

北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467

代理人：

王欣

法律状态：

授权

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-29	授权	授权

共 50 条

[1]

一种用边界磁畴保护反铁磁薄膜中磁斯格明子的方法 [P].

周艳 ;

赵月雷 ;

杨晟 ;

武凯 .

中国专利 :CN115035919A ,2022-09-09

[2]

一种人工合成反铁磁斯格明子检验的方法 [P].

周艳 ;

赵月雷 ;

杨晟 ;

武凯 .

中国专利 :CN115541694A ,2022-12-30

[3]

一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构、制备方法及磁存储设备 [P].

叶钊赫 ;

叶建国 ;

苗君 .

中国专利 :CN105609630A ,2016-05-25

[4]

一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器 [P].

沈来川 ;

周艳 ;

夏静 ;

张溪超 ;

赵国平 .

中国专利 :CN209859975U ,2019-12-27

[5]

一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器 [P].

沈来川 ;

周艳 ;

夏静 ;

张溪超 ;

赵国平 .

中国专利 :CN110246959A ,2019-09-17

[6]

一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路 [P].

赵国平 ;

梁雪 ;

赵莉 .

中国专利 :CN110535460A ,2019-12-03

[7]

一种利用磁光克尔效应测量反铁磁磁畴分布的方法 [P].

周超 ;

许佳 ;

贾孟文 ;

吴义政 .

中国专利 :CN108710090B ,2018-10-26

[8]

一种基于合成反铁磁斯格明子的逻辑门及控制方法 [P].

赵国平 ;

李林霖 .

中国专利 :CN114744998A ,2022-07-12

[9]

一种基于合成反铁磁斯格明子的逻辑门及控制方法 [P].

赵国平 ;

李林霖 .

中国专利 :CN114744998B ,2025-08-15

[10]

一种基于反铁磁Bimeron产生磁子频率梳的方法 [P].

张春喜 ;

金哲珺雨 ;

刘雪娟 ;

严鹏 .

中国专利 :CN117897038A ,2024-04-16

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