一种半金属合成反铁磁结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910081790.X

申请日：

2009-04-10

公开(公告)号：

CN101593601A

公开(公告)日：

2009-12-02

发明(设计)人：

徐晓光张德林姜勇

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区学院路30号

IPC主分类号：

H01F1032

IPC分类号：

H01F1014 G11B566 G11B584

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101176912530 IPC(主分类):G11B 5/66 专利申请号:200910081790X 公开日:20091202
2009-12-02	公开	公开
2010-01-27	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

合成反铁磁结构、MTJ和MRAM [P].

曾定桂 ;

高扬 ;

刘恩隆 ;

孟凡涛 .

中国专利 :CN118829347A ,2024-10-22

[2]

用于磁电子器件的合成反铁磁结构 [P].

加森·艾伦·加奈斯基 ;

布莱德利·N·英格尔 ;

尼古拉斯·D·里佐 ;

约汉·M·斯劳格特 .

中国专利 :CN1726400A ,2006-01-25

[3]

全补偿合成反铁磁的铁电性应用 [P].

诺真·杰 ;

童儒颖 .

中国专利 :CN105229811A ,2016-01-06

[4]

一种双合成反铁磁结构薄膜材料 [P].

姜勇 ;

包瑾 ;

徐晓光 ;

苏喜平 ;

闫树科 .

中国专利 :CN101202146A ,2008-06-18

[5]

一种无磁场辅助自旋轨道矩驱动的合成反铁磁存储单元 [P].

陈延学 ;

邢玉陟 ;

颜世申 ;

田玉峰 ;

叶兴龙 ;

魏琳 ;

王东 .

中国专利 :CN121057492A ,2025-12-02

[6]

一种人工合成反铁磁结构、磁性存储单元及存储器 [P].

赵月雷 ;

周艳 ;

杨晟 ;

周钰卿 ;

李晓光 ;

武凯 .

中国专利 :CN214705445U ,2021-11-12

[7]

一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构、制备方法及磁存储设备 [P].

叶钊赫 ;

叶建国 ;

苗君 .

中国专利 :CN105609630A ,2016-05-25

[8]

合成反铁磁读取器 [P].

V·B·萨波日尼科夫 ;

T·G·泊克希尔 ;

M·S·U·帕特瓦瑞 .

中国专利 :CN105989857A ,2016-10-05

[9]

一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜 [P].

康洁 ;

翁凯伦 ;

王志强 ;

窦爱玉 ;

胡先意 .

中国专利 :CN110416405A ,2019-11-05

[10]

具有超薄合成反铁磁层的磁性隧道结单元 [P].

张云森 ;

郭一民 ;

陈峻 ;

肖荣福 .

中国专利 :CN112652704A ,2021-04-13

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