用于磁电子器件的合成反铁磁结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200380106461.7

申请日：

2003-10-28

公开(公告)号：

CN1726400A

公开(公告)日：

2006-01-25

发明(设计)人：

加森·艾伦·加奈斯基布莱德利·N·英格尔尼古拉斯·D·里佐约汉·M·斯劳格特

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

G01R3309

IPC分类号：

G11C1116 H01F1032

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101554360937 IPC(主分类):G11B 5/39 专利号:ZL2003801064617 申请日:20031028 授权公告日:20090701 终止日期:20121028
2006-01-25	公开	公开
2009-07-01	授权	授权
2006-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

合成反铁磁结构、MTJ和MRAM [P].

曾定桂 ;

高扬 ;

刘恩隆 ;

孟凡涛 .

中国专利 :CN118829347A ,2024-10-22

[2]

一种半金属合成反铁磁结构 [P].

徐晓光 ;

张德林 ;

姜勇 .

中国专利 :CN101593601A ,2009-12-02

[3]

全补偿合成反铁磁的铁电性应用 [P].

诺真·杰 ;

童儒颖 .

中国专利 :CN105229811A ,2016-01-06

[4]

一种反铁磁自旋流电子器件及其应用 [P].

易迪 ;

陈和田 ;

南天翔 .

中国专利 :CN120417737A ,2025-08-01

[5]

磁电子器件及其制造方法 [P].

马克·A·杜尔拉姆 ;

杰弗里·H·贝克 ;

布赖恩·R·布彻 ;

马克·F·德赫尔雷拉 ;

约翰·J·蒂′乌尔索 ;

厄尔·D·富克斯 ;

格雷戈里·W·格里恩凯维希 ;

凯利·W·凯勒 ;

杰伊纳尔·A·莫拉 ;

J·杰克·任 ;

尼古拉斯·D·里佐 .

中国专利 :CN1717799A ,2006-01-04

[6]

具有超薄合成反铁磁层的磁性隧道结单元 [P].

张云森 ;

郭一民 ;

陈峻 ;

肖荣福 .

中国专利 :CN112652704A ,2021-04-13

[7]

电子器件和电子器件的结构 [P].

M·诺恩盖拉德 ;

T·欧埃克斯 .

中国专利 :CN218299803U ,2023-01-13

[8]

制造用在磁电子器件中的磁通集中系统的方法 [P].

托马斯·V·梅克斯奈尔 ;

格里高里·W·格林科维奇 ;

杰伊纳尔·A·莫拉 ;

J·杰克·任 ;

理查德·G·威廉姆斯 ;

布莱恩·R·布彻尔 ;

马克·A·杜尔兰 .

中国专利 :CN100490006C ,2006-01-25

[9]

合成反铁磁读取器 [P].

V·B·萨波日尼科夫 ;

T·G·泊克希尔 ;

M·S·U·帕特瓦瑞 .

中国专利 :CN105989857A ,2016-10-05

[10]

磁电子器件和测量方法 [P].

R.赫特尔 ;

颜明 .

中国专利 :CN102439745A ,2012-05-02

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