磁电子器件和测量方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080021072.4

申请日：

2010-05-03

公开(公告)号：

CN102439745A

公开(公告)日：

2012-05-02

发明(设计)人：

R.赫特尔颜明

申请人：

申请人地址：

德国于利奇

IPC主分类号：

H01L4300

IPC分类号：

G11C1116

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

臧永杰;卢江

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 43/00 申请日:20100503 授权公告日:20141217 终止日期:20210503
2014-12-17	授权	授权
2012-05-02	公开	公开
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101272510352 IPC(主分类):H01L 43/00 专利申请号:2010800210724 申请日:20100503

共 50 条

[1]

磁电子器件及其制造方法 [P].

马克·A·杜尔拉姆 ;

杰弗里·H·贝克 ;

布赖恩·R·布彻 ;

马克·F·德赫尔雷拉 ;

约翰·J·蒂′乌尔索 ;

厄尔·D·富克斯 ;

格雷戈里·W·格里恩凯维希 ;

凯利·W·凯勒 ;

杰伊纳尔·A·莫拉 ;

J·杰克·任 ;

尼古拉斯·D·里佐 .

中国专利 :CN1717799A ,2006-01-04

[2]

制造电子器件的方法和电子器件 [P].

约翰努斯·W·威坎普 ;

马克·H·格特马克 ;

约翰·A·彼得斯 .

中国专利 :CN1853113A ,2006-10-25

[3]

制造电子器件的方法和电子器件 [P].

H·博伊泽恩 ;

S·G·登哈托格 ;

P·J·弗伦奇 ;

K·A·A·马金瓦 .

中国专利 :CN1747891A ,2006-03-15

[4]

电子器件和用于制造电子器件的方法 [P].

L·圣托拉里亚 ;

D·特拉塞尔 ;

R·埃巴尔 .

:CN120051673A ,2025-05-27

[5]

一种电子器件结温的测量方法和装置 [P].

吕贤亮 ;

黄东巍 ;

麻力 ;

孙明 ;

任翔 .

中国专利 :CN108680849B ,2024-03-22

[6]

一种电子器件结温的测量方法和装置 [P].

吕贤亮 ;

黄东巍 ;

麻力 ;

孙明 ;

任翔 .

中国专利 :CN108680849A ,2018-10-19

[7]

电子器件封装和制造电子器件封装的方法 [P].

史训清 ;

杨丹 ;

罗珮璁 .

中国专利 :CN101847664B ,2010-09-29

[8]

MEMS器件和电子器件 [P].

R·卡尔米纳蒂 ;

N·博尼 ;

A·巴拜利 ;

M·扎姆普罗戈诺 ;

L·莫利纳里 .

中国专利 :CN218145865U ,2022-12-27

[9]

制造电子器件的方法和电子器件 [P].

金兰 ;

刘铁军 ;

朱靖华 .

中国专利 :CN118591875A ,2024-09-03

[10]

电子器件和形成电子器件的方法 [P].

皮特·莫昂 ;

P·范米尔贝克 ;

阿布舍克·班纳吉 .

中国专利 :CN110246894B ,2019-09-17

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