一种双合成反铁磁结构薄膜材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710176460.X

申请日：

2007-10-29

公开(公告)号：

CN101202146A

公开(公告)日：

2008-06-18

发明(设计)人：

姜勇包瑾徐晓光苏喜平闫树科

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区学院路30号

IPC主分类号：

H01F1032

IPC分类号：

H01F4114 B32B1500

代理机构：

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法律状态：

实质审查的生效

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-06-18	公开	公开
2011-01-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101063075514 IPC(主分类):H01F 10/32 专利申请号:200710176460X 公开日:20080618

共 50 条

[1]

一种反铁磁结构及基于反铁磁结构的磁随机存储器 [P].

贾兴涛 ;

王海伦 ;

王世卓 ;

王蕾 ;

余伟阳 ;

蔡小琳 .

中国专利 :CN112652701A ,2021-04-13

[2]

一种含有合成反铁磁结构的双磁性隧道结及其制备方法 [P].

姜勇 ;

于广华 ;

王燕斌 ;

腾蛟 .

中国专利 :CN1638167A ,2005-07-13

[3]

一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜 [P].

康洁 ;

翁凯伦 ;

王志强 ;

窦爱玉 ;

胡先意 .

中国专利 :CN110416405A ,2019-11-05

[4]

一种半金属合成反铁磁结构 [P].

徐晓光 ;

张德林 ;

姜勇 .

中国专利 :CN101593601A ,2009-12-02

[5]

一种调控反铁磁薄膜材料的磁矩排列的方法 [P].

冯春 ;

徐秀兰 ;

李玉坤 ;

孟飞 ;

于广华 .

中国专利 :CN111009365B ,2020-04-14

[6]

合成反铁磁结构、MTJ和MRAM [P].

曾定桂 ;

高扬 ;

刘恩隆 ;

孟凡涛 .

中国专利 :CN118829347A ,2024-10-22

[7]

一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构、制备方法及磁存储设备 [P].

叶钊赫 ;

叶建国 ;

苗君 .

中国专利 :CN105609630A ,2016-05-25

[8]

一种基于太赫兹光谱反铁磁薄膜材料磁子色散的测量方法 [P].

邱红松 ;

吴忌 .

中国专利 :CN120334182A ,2025-07-18

[9]

一种垂直磁化反铁磁磁随机存储器存储单元 [P].

潘礼庆 ;

易立志 ;

刘敏 ;

肖强 ;

许云丽 ;

杨栋超 ;

黄秀峰 ;

朴红光 ;

杨先卫 ;

谭超 .

中国专利 :CN110224057A ,2019-09-10

[10]

合成反铁磁读取器 [P].

V·B·萨波日尼科夫 ;

T·G·泊克希尔 ;

M·S·U·帕特瓦瑞 .

中国专利 :CN105989857A ,2016-10-05

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