具有反铁磁和半导体特性的二维硼化铁的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211444287.8

申请日：

2022-11-18

公开(公告)号：

CN115924928B

公开(公告)日：

2024-08-13

发明(设计)人：

胡亮杨秉璋张振乾全清林

申请人：

杭州电子科技大学

申请人地址：

310018 浙江省杭州市钱塘新区白杨街道2号大街1158号

IPC主分类号：

C01B35/04

IPC分类号：

B82Y40/00

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-13	授权	授权

共 50 条

[1]

利用JANUS结构调控二维反铁磁半导体自旋态的方法 [P].

牛艺杰 ;

封辉 ;

李鹤 ;

池强 .

中国专利 :CN119851822A ,2025-04-18

[2]

二维半导体组件、光电单元与二维半导体组件的制造方法 [P].

陈奕彤 ;

赖映佑 ;

陈俊安 ;

张锌权 ;

李奕贤 .

中国专利 :CN111769201A ,2020-10-13

[3]

一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置 [P].

叶镭 ;

黄鑫宇 ;

林润峰 ;

彭追日 ;

童磊 ;

李政 ;

徐浪浪 ;

缪向水 .

中国专利 :CN114242886B ,2024-05-14

[4]

一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置 [P].

叶镭 ;

黄鑫宇 ;

林润峰 ;

彭追日 ;

童磊 ;

李政 ;

徐浪浪 ;

缪向水 .

中国专利 :CN114242886A ,2022-03-25

[5]

快速制备二维硼烯的方法 [P].

彭秋明 ;

冯佳文 ;

杨猛 ;

刘航瑞 .

中国专利 :CN111072041B ,2020-04-28

[6]

具有二维电子气和二维空穴气的半导体器件 [P].

A·中岛 ;

S·N·E·马达蒂尔 .

中国专利 :CN103098221B ,2013-05-08

[7]

二维半导体异质结的制备方法 [P].

魏钟鸣 ;

于雅俐 ;

杨珏晗 ;

刘岳阳 ;

文宏玉 .

中国专利 :CN113823552A ,2021-12-21

[8]

二维多铁半导体材料及其制备方法 [P].

魏钟鸣 ;

杨淮 ;

李京波 .

中国专利 :CN109166963A ,2019-01-08

[9]

铁磁-反铁磁耦合的具有磁响应氧反应催化剂的制备方法 [P].

安百钢 ;

吴琳 ;

张涵 ;

李莉香 ;

赵宏伟 .

中国专利 :CN119332293A ,2025-01-21

[10]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200A ,2022-06-21

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