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以激光烧蚀形成深度可变结构
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202180020367.8
申请日
:
2021-02-05
公开(公告)号
:
CN115280192B
公开(公告)日
:
2024-06-07
发明(设计)人
:
彼得·库伦齐
约瑟夫·奥尔森
摩根·埃文斯
罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森
申请人
:
应用材料公司
申请人地址
:
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
:
G02B5/18
IPC分类号
:
G02B27/01
代理机构
:
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人
:
徐金国;赵静
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-06-07
授权
授权
共 50 条
[1]
激光烧蚀特征形成装置
[P].
D·J·特雷德韦尔
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D·J·特雷德韦尔
;
C·L·休梅克
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C·L·休梅克
.
中国专利
:CN1326392A
,2001-12-12
[2]
激光烧蚀
[P].
彼得·巴林
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彼得·巴林
.
中国专利
:CN1478007A
,2004-02-25
[3]
掩膜作轨道运动以形成激光烧蚀的特征物
[P].
C·L·休梅克
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C·L·休梅克
;
L·A·阿吉雷
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L·A·阿吉雷
.
中国专利
:CN1326394A
,2001-12-12
[4]
激光烧蚀系统
[P].
A·V·洛博达
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A·V·洛博达
.
中国专利
:CN109791868A
,2019-05-21
[5]
交错激光烧蚀
[P].
K·L·吉林斯
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K·L·吉林斯
.
中国专利
:CN211661335U
,2020-10-13
[6]
激光烧蚀单元
[P].
德特勒夫·巩特尔
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德特勒夫·巩特尔
;
丹尼尔·格罗利蒙德
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丹尼尔·格罗利蒙德
;
浩·王
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浩·王
.
中国专利
:CN105324832A
,2016-02-10
[7]
激光烧蚀抗蚀剂
[P].
S·E·飞利普
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S·E·飞利普
;
T·J·崔威尔
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T·J·崔威尔
;
L·W·塔特
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L·W·塔特
;
G·T·皮尔斯
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G·T·皮尔斯
;
K·恩古颜
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K·恩古颜
;
R·M·威克勒
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R·M·威克勒
.
中国专利
:CN101454720B
,2009-06-10
[8]
激光烧蚀机
[P].
谢大浪
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机构:
深圳市大族半导体装备科技有限公司
深圳市大族半导体装备科技有限公司
谢大浪
;
黄运
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机构:
深圳市大族半导体装备科技有限公司
深圳市大族半导体装备科技有限公司
黄运
;
郑新民
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深圳市大族半导体装备科技有限公司
深圳市大族半导体装备科技有限公司
郑新民
;
吕晨曦
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机构:
深圳市大族半导体装备科技有限公司
深圳市大族半导体装备科技有限公司
吕晨曦
;
江军
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深圳市大族半导体装备科技有限公司
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江军
;
张伟胜
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机构:
深圳市大族半导体装备科技有限公司
深圳市大族半导体装备科技有限公司
张伟胜
;
尹建刚
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深圳市大族半导体装备科技有限公司
深圳市大族半导体装备科技有限公司
尹建刚
;
唐建刚
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深圳市大族半导体装备科技有限公司
深圳市大族半导体装备科技有限公司
唐建刚
.
中国专利
:CN309485717S
,2025-09-09
[9]
通过激光烧蚀形成耳塞的方法
[P].
邓肯·泰勒
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邓肯·泰勒
.
中国专利
:CN101301241A
,2008-11-12
[10]
激光烧蚀扫描法
[P].
K·L·奥普戴克
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0
K·L·奥普戴克
.
中国专利
:CN1090803A
,1994-08-17
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