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一种提高金刚石纯度的MPCVD装置
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202322648480.X
申请日
:
2023-09-28
公开(公告)号
:
CN220907640U
公开(公告)日
:
2024-05-07
发明(设计)人
:
袁稳
郑怡
侯淅燕
郑华
申请人
:
成都稳正科技有限公司
申请人地址
:
610000 四川省成都市郫都区现代工业港数码二路2号102-6楼A区
IPC主分类号
:
C23C16/50
IPC分类号
:
C30B29/04
C30B25/16
代理机构
:
成都智弘知识产权代理有限公司 51275
代理人
:
李小华
法律状态
:
授权
国省代码
:
四川省 成都市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-05-07
授权
授权
共 50 条
[1]
用于金刚石单晶生长的MPCVD装置
[P].
朱嘉琦
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朱嘉琦
;
郝晓斌
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郝晓斌
;
李一村
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李一村
;
代兵
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代兵
;
刘雪冬
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刘雪冬
.
中国专利
:CN113957522A
,2022-01-21
[2]
一种用于提高MPCVD金刚石相纯度的装置
[P].
戴煜
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湖南顶立科技股份有限公司
湖南顶立科技股份有限公司
戴煜
;
胡祥龙
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湖南顶立科技股份有限公司
湖南顶立科技股份有限公司
胡祥龙
;
刘健
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湖南顶立科技股份有限公司
湖南顶立科技股份有限公司
刘健
;
魏巍
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湖南顶立科技股份有限公司
湖南顶立科技股份有限公司
魏巍
;
周岳兵
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湖南顶立科技股份有限公司
湖南顶立科技股份有限公司
周岳兵
;
唐兵兵
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机构:
湖南顶立科技股份有限公司
湖南顶立科技股份有限公司
唐兵兵
.
中国专利
:CN121228349A
,2025-12-30
[3]
一种生长金刚石的MPCVD装置
[P].
郭鋆
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中南钻石有限公司
中南钻石有限公司
郭鋆
;
张国凯
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中南钻石有限公司
中南钻石有限公司
张国凯
;
刘厚盛
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中南钻石有限公司
中南钻石有限公司
刘厚盛
;
李港雨
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中南钻石有限公司
中南钻石有限公司
李港雨
;
曹通
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中南钻石有限公司
中南钻石有限公司
曹通
;
翟东升
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中南钻石有限公司
中南钻石有限公司
翟东升
;
杨光
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机构:
中南钻石有限公司
中南钻石有限公司
杨光
.
中国专利
:CN220999953U
,2024-05-24
[4]
提高金刚石膜均匀性的MPCVD装置
[P].
刘莎莎
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
刘莎莎
;
兰飞飞
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
兰飞飞
;
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机构:
王英民
;
房诗舒
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
房诗舒
;
程红娟
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
程红娟
;
刘金鑫
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机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
中国电子科技集团公司第四十六研究所
刘金鑫
.
中国专利
:CN222064661U
,2024-11-26
[5]
一种MPCVD法生产单晶金刚石的方法
[P].
郑逢达
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机构:
河南天璇半导体科技有限责任公司
河南天璇半导体科技有限责任公司
郑逢达
;
李宏利
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机构:
河南天璇半导体科技有限责任公司
河南天璇半导体科技有限责任公司
李宏利
;
方海江
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机构:
河南天璇半导体科技有限责任公司
河南天璇半导体科技有限责任公司
方海江
;
崔名扬
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机构:
河南天璇半导体科技有限责任公司
河南天璇半导体科技有限责任公司
崔名扬
.
中国专利
:CN114836829B
,2024-07-05
[6]
一种MPCVD法生产单晶金刚石的方法
[P].
郑逢达
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郑逢达
;
李宏利
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李宏利
;
方海江
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方海江
;
崔名扬
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崔名扬
.
中国专利
:CN114836829A
,2022-08-02
[7]
一种基于MPCVD的金刚石高效合成装置
[P].
吴鹏辉
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机构:
郑州势垒科技有限公司
郑州势垒科技有限公司
吴鹏辉
;
许成志
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机构:
郑州势垒科技有限公司
郑州势垒科技有限公司
许成志
;
郭森森
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机构:
郑州势垒科技有限公司
郑州势垒科技有限公司
郭森森
;
陈聪聪
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郑州势垒科技有限公司
郑州势垒科技有限公司
陈聪聪
;
樊会鹏
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机构:
郑州势垒科技有限公司
郑州势垒科技有限公司
樊会鹏
;
刘勐琦
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机构:
郑州势垒科技有限公司
郑州势垒科技有限公司
刘勐琦
;
曾献伟
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机构:
郑州势垒科技有限公司
郑州势垒科技有限公司
曾献伟
.
中国专利
:CN222008176U
,2024-11-15
[8]
基于MPCVD法制备蓝色金刚石的方法
[P].
张森
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机构:
哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学
张森
;
杨雯斯
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机构:
哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学
杨雯斯
;
杨云鹏
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机构:
哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学
杨云鹏
;
陈超
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机构:
哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学
陈超
;
范锐
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机构:
哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学
范锐
;
刘淋淋
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哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学
刘淋淋
;
赵继文
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哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学
赵继文
;
刘本建
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机构:
哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学
刘本建
;
李一村
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机构:
哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学
李一村
;
刘康
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机构:
哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学
刘康
;
张固非
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机构:
哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学
张固非
;
代兵
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机构:
哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学
代兵
;
朱嘉琦
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机构:
哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学
朱嘉琦
.
中国专利
:CN119736710A
,2025-04-01
[9]
一种MPCVD金刚石薄膜的制备方法
[P].
孔德军
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孔德军
;
张棱
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张棱
;
王文昌
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王文昌
;
刘伟
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刘伟
;
朱首宇
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朱首宇
.
中国专利
:CN106637143A
,2017-05-10
[10]
一种用于金刚石生长的MPCVD装置
[P].
许成志
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机构:
郑州势垒科技有限公司
郑州势垒科技有限公司
许成志
;
郭森森
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机构:
郑州势垒科技有限公司
郑州势垒科技有限公司
郭森森
;
曾献伟
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机构:
郑州势垒科技有限公司
郑州势垒科技有限公司
曾献伟
.
中国专利
:CN222182548U
,2024-12-17
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