基于MPCVD法制备蓝色金刚石的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411952927.5

申请日：

2024-12-27

公开(公告)号：

CN119736710A

公开(公告)日：

2025-04-01

发明(设计)人：

张森杨雯斯杨云鹏陈超范锐刘淋淋赵继文刘本建李一村刘康张固非代兵朱嘉琦

申请人：

哈尔滨工业大学哈工大郑州研究院河南碳真芯材科技有限公司

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

C30B25/00

IPC分类号：

C30B29/04 C30B33/00 C30B31/20

代理机构：

哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司 23213

代理人：

宋政良

法律状态：

公开

国省代码：

山东省威海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-01	公开	公开
2025-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/00申请日:20241227

共 50 条

[1]

一种MPCVD法生产单晶金刚石的方法 [P].

郑逢达 ;

李宏利 ;

方海江 ;

崔名扬 .

中国专利 :CN114836829B ,2024-07-05

[2]

一种MPCVD法生产单晶金刚石的方法 [P].

郑逢达 ;

李宏利 ;

方海江 ;

崔名扬 .

中国专利 :CN114836829A ,2022-08-02

[3]

制备大尺寸多晶金刚石薄膜的MPCVD设备及制备方法 [P].

宋德鹏 ;

张正伟 ;

姜良斌 .

中国专利 :CN120272875B ,2025-11-14

[4]

制备大尺寸多晶金刚石薄膜的MPCVD设备及制备方法 [P].

宋德鹏 ;

张正伟 ;

姜良斌 .

中国专利 :CN120272875A ,2025-07-08

[5]

单晶金刚石基板的制备方法及生长单晶金刚石的基材 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116516476B ,2024-02-13

[6]

一种单晶金刚石及其MPCVD制备方法 [P].

龚闯 ;

满卫东 ;

蒋梅荣 ;

杨春梅 ;

杨武 .

中国专利 :CN114959891B ,2024-07-19

[7]

一种基于铅制电子辐照载体制备CVD蓝色渐变金刚石的方法 [P].

张森 ;

杨雯斯 ;

杨云鹏 ;

陈超 ;

范锐 ;

刘淋淋 ;

赵继文 ;

刘本建 ;

李一村 ;

刘康 ;

张固非 ;

代兵 ;

朱嘉琦 .

中国专利 :CN119900077A ,2025-04-29

[8]

H+离子刻蚀金刚石核制备(001)高取向金刚石薄膜的方法 [P].

顾长志 .

中国专利 :CN1442507A ,2003-09-17

[9]

一种MPCVD系统及金刚石薄膜生长掺杂控制方法 [P].

顾书林 ;

杨凯 ;

刘松民 ;

朱顺明 ;

叶建东 ;

汤琨 .

中国专利 :CN118581569A ,2024-09-03

[10]

一种用于MPCVD金刚石合成设备的冷却系统 [P].

陈聪聪 ;

许成志 ;

郭森森 ;

吴鹏辉 ;

樊会鹏 ;

刘勐琦 ;

曾献伟 .

中国专利 :CN222411821U ,2025-01-28

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