制备大尺寸多晶金刚石薄膜的MPCVD设备及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510583123.0

申请日：

2025-05-07

公开(公告)号：

CN120272875B

公开(公告)日：

2025-11-14

发明(设计)人：

宋德鹏张正伟姜良斌

申请人：

山东力冠微电子装备有限公司

申请人地址：

250000 山东省济南市槐荫区太平河北路宽禁带半导体产业园E座

IPC主分类号：

C23C16/27

IPC分类号：

C23C16/52 C23C16/46 C23C16/511

代理机构：

山东舜源联合知识产权代理有限公司 37359

代理人：

张亮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

山东省济南市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/27申请日:20250507
2025-07-08	公开	公开
2025-11-14	授权	授权

共 50 条

[1]

制备大尺寸多晶金刚石薄膜的MPCVD设备及制备方法 [P].

宋德鹏 ;

张正伟 ;

姜良斌 .

中国专利 :CN120272875A ,2025-07-08

[2]

一种低翘曲度多晶金刚石薄膜及其制备方法 [P].

孟祥旭 ;

张鹏飞 ;

夏营 ;

梅远洋 ;

刘洋 ;

常豪锋 ;

张杨 ;

赵炯 ;

张云鹤 .

中国专利 :CN120519820A ,2025-08-22

[3]

基于MPCVD法制备蓝色金刚石的方法 [P].

张森 ;

杨雯斯 ;

杨云鹏 ;

陈超 ;

范锐 ;

刘淋淋 ;

赵继文 ;

刘本建 ;

李一村 ;

刘康 ;

张固非 ;

代兵 ;

朱嘉琦 .

中国专利 :CN119736710A ,2025-04-01

[4]

一种大尺寸纳米金刚石薄膜及其制备方法和应用 [P].

唐莉娜 ;

毛晓宇 ;

赵国萍 ;

李佳男 ;

谢诚哲 ;

杨彬 ;

赵雪松 ;

李浩 ;

李志康 .

中国专利 :CN119082698A ,2024-12-06

[5]

一种MPCVD系统及金刚石薄膜生长掺杂控制方法 [P].

顾书林 ;

杨凯 ;

刘松民 ;

朱顺明 ;

叶建东 ;

汤琨 .

中国专利 :CN118581569A ,2024-09-03

[6]

H+离子刻蚀金刚石核制备(001)高取向金刚石薄膜的方法 [P].

顾长志 .

中国专利 :CN1442507A ,2003-09-17

[7]

一种MPCVD金刚石薄膜的制备方法 [P].

孔德军 ;

张棱 ;

王文昌 ;

刘伟 ;

朱首宇 .

中国专利 :CN106637143A ,2017-05-10

[8]

n型CVD共掺杂金刚石薄膜的制备方法 [P].

李荣斌 ;

徐建辉 .

中国专利 :CN100390316C ,2006-07-19

[9]

一种纳米金刚石薄膜及其制备方法 [P].

杨彬 ;

雷乐成 ;

李浩 .

中国专利 :CN105755448A ,2016-07-13

[10]

多晶金刚石片的制备方法及多晶金刚石片 [P].

张晶 ;

王陶 ;

肖柏汲 .

中国专利 :CN120400996A ,2025-08-01

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