半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310614431.6

申请日：

2023-05-29

公开(公告)号：

CN117641923A

公开(公告)日：

2024-03-01

发明(设计)人：

郑恩宅成锡江

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10B41/41

IPC分类号：

H10B41/20 H10B43/40 H10B43/20

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

张霞;倪斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-01	公开	公开
2025-08-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/41申请日:20230529

共 50 条

[1]

半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统 [P].

李慧美 ;

高圣才 ;

宋炫周 ;

朴宣重 ;

朴汉容 .

中国专利 :CN114664844A ,2022-06-24

[2]

半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统 [P].

千相勋 ;

李在训 ;

赵卿泽 ;

张东爀 ;

韩智勋 .

韩国专利 :CN118475128A ,2024-08-09

[3]

半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统 [P].

李吉成 ;

沈善一 ;

李昇埈 ;

郑洙赞 .

韩国专利 :CN120417393A ,2025-08-01

[4]

半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统 [P].

李璿婴 ;

姜信焕 ;

白石千 .

中国专利 :CN115605025A ,2023-01-13

[5]

半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统 [P].

李东镇 ;

林濬熙 ;

金鹤善 ;

孙洛辰 ;

金政垠 ;

闵柱盛 ;

李昌宪 .

中国专利 :CN115497948A ,2022-12-20

[6]

半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统 [P].

朴主美 ;

李恩英 ;

金成吉 .

韩国专利 :CN118284043A ,2024-07-02

[7]

半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统 [P].

金宽容 ;

申盛元 ;

李承敏 ;

林周永 ;

赵源锡 .

中国专利 :CN115117085A ,2022-09-27

[8]

半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统 [P].

闵柱盛 ;

白在馥 ;

韩智勋 .

韩国专利 :CN120390450A ,2025-07-29

[9]

半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统 [P].

金志荣 ;

康范圭 ;

任峻成 ;

成锡江 .

中国专利 :CN115411049A ,2022-11-29

[10]

半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统 [P].

金是完 ;

林周圆 ;

朴钟炫 ;

李昭悧 ;

朴凤泰 ;

沈载株 .

韩国专利 :CN117500275A ,2024-02-02

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