一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311623560.8

申请日：

2023-11-30

公开(公告)号：

CN117637470A

公开(公告)日：

2024-03-01

发明(设计)人：

钟宇苑登文韩吉胜汉多科·林纳威赫

申请人：

山东大学

申请人地址：

250100 山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

H01L21/3213

IPC分类号：

H01L21/67

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司 37219

代理人：

于兆生

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-01	公开	公开
2024-08-02	授权	授权
2024-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3213申请日:20231130

共 50 条

[1]

一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法 [P].

钟宇 ;

苑登文 ;

韩吉胜 ;

汉多科·林纳威赫 .

中国专利 :CN117637470B ,2024-08-02

[2]

碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法 [P].

贺艺舒 ;

季益静 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN114551227B ,2025-12-30

[3]

碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法 [P].

贺艺舒 ;

季益静 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN114551227A ,2022-05-27

[4]

沟槽的刻蚀方法、碳化硅器件的制备方法及碳化硅器件 [P].

刘启军 ;

王亚飞 ;

李诚瞻 ;

陈喜明 ;

赵艳黎 ;

郑昌伟 ;

张超 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN111986991A ,2020-11-24

[5]

一种碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅半导体器件 [P].

赵兵 ;

王兆祥 ;

裴凯 ;

柳雨佳 ;

梁洁 .

中国专利 :CN117936376B ,2024-06-07

[6]

一种碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅半导体器件 [P].

赵兵 ;

王兆祥 ;

裴凯 ;

刘雨佳 ;

梁洁 .

中国专利 :CN117936376A ,2024-04-26

[7]

一种碳化硅的刻蚀方法和碳化硅结构 [P].

李向坤 ;

薛亮 ;

葛莹 .

中国专利 :CN120497133A ,2025-08-15

[8]

碳化硅外延层及其刻蚀方法、碳化硅器件 [P].

席韡 ;

刘奇斌 .

中国专利 :CN112967929A ,2021-06-15

[9]

一种碳化硅刻蚀方法 [P].

张艺蒙 ;

张航 ;

汤晓燕 ;

宋庆文 ;

张玉明 .

中国专利 :CN110098119A ,2019-08-06

[10]

碳化硅器件电极金属层的湿法刻蚀方法 [P].

刘启军 ;

马亚超 ;

刘锐鸣 ;

赵艳黎 ;

周正东 ;

刘芹 ;

黄爱权 ;

李诚瞻 .

中国专利 :CN113130304A ,2021-07-16

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