形成莫尔图案的重叠标记、利用其的重叠测量方法、重叠测量装置及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310506901.7

申请日：

2023-05-08

公开(公告)号：

CN117913074A

公开(公告)日：

2024-04-19

发明(设计)人：

李铉哲张贤镇

申请人：

奥路丝科技有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L23/544

IPC分类号：

H01L21/02 H01L21/66 G01B11/02

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

许静;许京文

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-19	公开	公开
2024-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/544申请日:20230508

共 50 条

[1]

重叠测量方法和使用其的重叠测量设备 [P].

崔交亨 ;

朴珍俊 .

中国专利 :CN101063829A ,2007-10-31

[2]

优化重叠测量条件的方法及使用重叠测量条件的重叠测量方法 [P].

金岛辉 ;

郭旻哲 ;

尹俊盛 ;

李汀镇 ;

李承润 ;

黄灿 .

韩国专利 :CN119247699A ,2025-01-03

[3]

重叠量测量装置和重叠量测量方法 [P].

塚本高弘 .

中国专利 :CN106662429A ,2017-05-10

[4]

半导体器件、其制造方法和图案重叠检查方法 [P].

佐佐木宏尚 .

中国专利 :CN105990180A ,2016-10-05

[5]

多波长选择方法、重叠测量方法和半导体器件制造方法 [P].

任仁范 ;

尹俊盛 ;

李承润 ;

李汀镇 ;

黄燦 .

韩国专利 :CN117912975A ,2024-04-19

[6]

用于测量多层重叠对准精确度的重叠游标图案及测量方法 [P].

陈子清 .

中国专利 :CN1202559C ,2003-10-01

[7]

在多层图形间测量重叠误差的重叠测量标记和方法 [P].

裵相万 .

中国专利 :CN1055787C ,1995-09-27

[8]

测量重叠误差的半导体器件和方法、光刻设备及器件制造方法 [P].

摩西·杜萨 ;

阿克塞尔·纳克尔特斯 ;

古斯塔夫·沃哈根 .

中国专利 :CN101202268B ,2008-06-18

[9]

套刻标记、利用其的套刻测量方法及半导体器件的制造方法 [P].

李铉哲 .

韩国专利 :CN117423684A ,2024-01-19

[10]

具有测量图案的半导体器件及其测量方法 [P].

朴翔煜 ;

侑在珉 ;

权喆纯 ;

金镇宇 ;

朴在铉 ;

金龙希 ;

李燉雨 ;

金大根 ;

金周灿 ;

金国珉 ;

柳义烈 .

中国专利 :CN100416821C ,2005-02-02

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