紫外LED的外延结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910731901.0
申请日
2019-08-09
公开(公告)号
CN110473940B
公开(公告)日
2024-05-17
发明(设计)人
付羿 刘卫
申请人
晶能光电股份有限公司
申请人地址
330096 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号
IPC主分类号
H01L33/02
IPC分类号
H01L33/12 H01L33/14 H01L33/32
代理机构
代理人
法律状态
授权
国省代码
河北省 石家庄市
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共 50 条
[1]
紫外LED的外延结构 [P]. 
付羿 ;
刘卫 .
中国专利 :CN110473940A ,2019-11-19
[2]
GaN基紫外LED外延结构 [P]. 
付羿 ;
刘卫 .
中国专利 :CN111129243A ,2020-05-08
[3]
GaN基紫外LED外延结构 [P]. 
付羿 ;
刘卫 .
中国专利 :CN111129243B ,2024-05-17
[4]
紫外LED外延结构 [P]. 
付羿 ;
刘卫 .
中国专利 :CN110459654A ,2019-11-15
[5]
高光效紫外LED外延结构 [P]. 
付羿 ;
刘卫 .
中国专利 :CN111063772A ,2020-04-24
[6]
一种AlGaN基深紫外LED外延结构 [P]. 
尹以安 ;
王山林 .
中国专利 :CN208014724U ,2018-10-26
[7]
紫外LED外延结构及其制备方法 [P]. 
刘锐森 ;
蓝文新 ;
刘召忠 ;
林辉 ;
杨小利 .
中国专利 :CN111261758A ,2020-06-09
[8]
紫外LED外延结构及其制备方法 [P]. 
刘锐森 ;
蓝文新 ;
刘召忠 ;
林辉 ;
杨小利 .
中国专利 :CN111341891A ,2020-06-26
[9]
一种紫外LED外延结构 [P]. 
郑树文 ;
王立云 ;
何伟 ;
郑涛 .
中国专利 :CN110224048B ,2019-09-10
[10]
用于深紫外LED的外延结构及其制备方法、LED [P]. 
程龙 ;
郑文杰 ;
曾家明 ;
刘春杨 ;
胡加辉 .
中国专利 :CN115207176B ,2022-12-30