基于Ⅲ族氮化物异质结的场效应晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910610514.1

申请日：

2019-07-08

公开(公告)号：

CN112201689B

公开(公告)日：

2024-06-04

发明(设计)人：

张晓东魏星张宝顺

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/10 H01L21/335

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王茹

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-04	授权	授权

共 50 条

[1]

基于Ⅲ族氮化物异质结的场效应晶体管及其制备方法 [P].

张晓东 ;

魏星 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN112201689A ,2021-01-08

[2]

III族氮化物场效应晶体管 [P].

B·贝克鲁特 .

:CN120152342A ,2025-06-13

[3]

氮化物系场效应晶体管及其制造方法 [P].

竹谷元伸 .

中国专利 :CN104347699A ,2015-02-11

[4]

异质结场效应晶体管及其制备方法 [P].

刘新科 ;

王磊 ;

敖金平 .

中国专利 :CN108807530A ,2018-11-13

[5]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

高剑琴 ;

周海锋 ;

谭俊 .

中国专利 :CN103872118A ,2014-06-18

[6]

增强模式Ⅲ族氮化物场效应晶体管 [P].

罗伯特·比克 .

中国专利 :CN101273458B ,2008-09-24

[7]

氮化物半导体场效应晶体管 [P].

仲山宽 ;

小山顺一郎 ;

藤田耕一郎 .

中国专利 :CN107431021B ,2017-12-01

[8]

无结场效应晶体管及其制备方法 [P].

王欣鹤 ;

唐建石 ;

张志刚 ;

高滨 ;

吴华强 ;

钱鹤 .

中国专利 :CN114613850A ,2022-06-10

[9]

无结场效应晶体管及其制备方法 [P].

许鹏 ;

吴东平 ;

付超超 ;

周祥标 .

中国专利 :CN104269438A ,2015-01-07

[10]

氮化镓基异质结场效应晶体管及其制造方法 [P].

李俊 .

中国专利 :CN114551584A ,2022-05-27

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