零场镝单离子磁体及其制备方法和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111371426.4
申请日
2021-11-18
公开(公告)号
CN114031634B
公开(公告)日
2024-03-19
发明(设计)人
陈磊 程志杰 景蓉 谭鹏飞 蔡星伟 袁爱华
申请人
江苏科技大学
申请人地址
212100 江苏省镇江市丹徒区长晖路666号
IPC主分类号
C07F5/00
IPC分类号
C07C201/12 C07C201/16 C07C205/26 H01F1/42 G11C11/02
代理机构
南京经纬专利商标代理有限公司 32200
代理人
余俊杰
法律状态
授权
国省代码
江苏省 镇江市
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共 50 条
[21]
一种双镝基单分子磁体材料及其制备方法 [P]. 
王瑞 .
中国专利 :CN115772182B ,2024-09-03
[22]
一种四核镝单分子磁体及其制备方法 [P]. 
逯静静 ;
张芫溪 ;
韩芥萱 ;
江月柔 ;
孙博焘 ;
王通通 ;
张军正 ;
何欣琳 .
中国专利 :CN120904222A ,2025-11-07
[23]
一种多酸镝单分子磁体及其制备方法 [P]. 
刘天府 ;
张媛 ;
魏晨燕 .
中国专利 :CN103994792A ,2014-08-20
[24]
一种Dy(III)-Cu(II)共晶单分子磁体及其制备方法 [P]. 
李郤里 ;
周立明 ;
王爱玲 ;
崔明会 .
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[25]
一种双核镝单分子磁体材料及其制备方法与应用 [P]. 
申福星 ;
鲍宗必 ;
曹义风 ;
黎正涛 ;
曹一佳 ;
安友成 .
中国专利 :CN120554388A ,2025-08-29
[26]
易面磁各向异性钴单离子磁体及其制备方法与应用 [P]. 
崔会会 ;
李士祥 ;
汤艳峰 ;
王金 ;
王淼 ;
孙同明 ;
丁津津 .
中国专利 :CN119823194A ,2025-04-15
[27]
一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料及其制备方法 [P]. 
钟开龙 ;
权静 ;
胡虹 .
中国专利 :CN115772181B ,2024-08-16
[28]
一种具有氧化还原活性的镝基单分子磁体的制备方法及应用 [P]. 
屈云霞 ;
谢凯平 ;
何永和 ;
区炎鹏 ;
黎苑如 ;
邓茜 ;
范钊铭 .
中国专利 :CN118812570A ,2024-10-22
[29]
一种十核镝簇合物单分子磁体及其制备方法 [P]. 
王凯 ;
苏森达 ;
欧阳效洺 ;
梁福沛 .
中国专利 :CN109053773A ,2018-12-21
[30]
一种具有氧化还原活性的镝基单分子磁体的制备方法及应用 [P]. 
屈云霞 ;
谢凯平 ;
何永和 ;
区炎鹏 ;
黎苑如 ;
邓茜 ;
范钊铭 .
中国专利 :CN118812570B ,2025-03-04