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具有气隙的半导体元件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110415829.8
申请日：
2021-04-19
公开(公告)号：
CN113555341B
公开(公告)日：
2024-05-24
发明(设计)人：
徐嘉祥
申请人：
南亚科技股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新北市
IPC主分类号：
H01L23/528
IPC分类号：
H01L21/768
代理机构：
隆天知识产权代理有限公司 72003
代理人：
谢强;黄艳
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-05-24 | 授权 | 授权 |