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具有气隙的半导体元件结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410485136.X
申请日：
2023-11-22
公开(公告)号：
CN119545785A
公开(公告)日：
2025-02-28
发明(设计)人：
黄至伟
申请人：
南亚科技股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新北市
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
隆天知识产权代理有限公司 72003
代理人：
李南山
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-02-28 公开 公开
2025-03-18 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20231122
共 50 条
[1]
具有气隙的半导体元件 [P]. 
徐嘉祥 .
中国专利 :CN113555341A ,2021-10-26
[2]
具有气隙的半导体元件 [P]. 
黄则尧 .
中国专利 :CN118039600A ,2024-05-14
[3]
具有气隙的半导体元件 [P]. 
黄至伟 ;
樊旭诚 ;
颜志羽 .
中国专利 :CN119108373A ,2024-12-10
[4]
具有气隙的半导体元件 [P]. 
徐嘉祥 .
中国专利 :CN113555341B ,2024-05-24
[5]
具有气隙的半导体元件结构及其制备方法 [P]. 
黄则尧 .
中国专利 :CN112542446A ,2021-03-23
[6]
具有气隙的半导体元件结构及其制备方法 [P]. 
郭锦德 .
中国专利 :CN112670286A ,2021-04-16
[7]
具有气隙结构的半导体元件及其制备方法 [P]. 
苏国辉 .
中国专利 :CN112397511A ,2021-02-23
[8]
具有气隙的半导体元件结构及其制备方法 [P]. 
黄则尧 .
中国专利 :CN112542446B ,2024-03-08
[9]
具有气隙的半导体元件结构及其制备方法 [P]. 
郭锦德 .
中国专利 :CN112670286B ,2024-08-09
[10]
具有气隙的半导体元件结构及其制备方法 [P]. 
施信益 .
中国专利 :CN113035837A ,2021-06-25
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